降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
从模型计算得出的电阻值表明,与传统的沟槽刻蚀+大马士革沉积方法相比,采用IBE/PVD制造方法可使电阻降低67%。这是因为IBE/PVD不需要氮化钽内衬层,且该过程中铜线电阻率较低。该结果表明,在金属线制造过程中,与大马士革填充相比,IBE/PVD可以降低电阻率,但代价是制造工艺更为复杂。
半导体情报,科学家首次开发射频毫米波段的高性能忆阻器!
(1)首次开发了适用于射频毫米波(mmWave)应用的多层氮化硼(hBN)记忆电阻器。这些电阻器展示了在高达260GHz频率下的射频性能,并通过不同电极材料验证了其稳定的行为。(2)通过采用一种新型的导电性增强方法,成功实现了低于10Ω的低阻态电阻(RLRS),最低可达4.5Ω。这种方法使得设备能够经受2,000个循环的使用测...
BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法
在半导体制造中,MOSFET晶体管的栅极氧化物是使用原位蒸汽生成(ISSG)工艺生长的。该方法涉及原位生成蒸汽(H2O),通常通过晶圆表面的氢(H2)与氧(O2)发生反应。然后使用蒸汽生长一层薄薄的二氧化硅(SiO2),用作栅极氧化物。对于高压器件,首先将栅极氧化物生长到其所需的最大厚度。随后,执行掩蔽步骤,其中...
半导体参数分析仪的FFT分析
计算1GΩ电阻的噪声电流和约翰逊噪声。1GΩ电阻的热噪声理论计算值约为4E-6Vrms,使用公式:vn=sqrt(4*k*TEMP*1e9)。电阻器热功率噪声的实际公式为:P=4*k*TEMP*BW其中,k为玻尔兹曼常数,1.38E-23J/K,TEMP为环境温度(K),BW为带宽(Hz)。表3列出了resistor-noise测试的公式描述。时间、量程、点...
第4讲:SiC的物理特性
比较功率器件不同材料的性能时,通常使用性能指数BFOM(Baliga’sFigureofmerit)。BFOM与理想单极型器件的电阻成反比,可通过以下公式计算。由于BFOM与击穿电场强度的三次方成正比,而SiC的数值是Si的10倍,这有利于实现低电阻单极器件。根据表中数值,与Si相比,SiC单极性器件的电阻有可能降低至Si的1/667。此外,电阻...
人工智能芯片的数据传输:挑战及应对方案
半导体技术和人工智能计算需求的发展,推动了AI芯片设计的火热发展,当然也会遇到了新的挑战,尤其是数据传输瓶颈问题,这是个高风险高回报的领域(www.e993.com)2024年9月20日。数据在芯片内部及芯片间的移动成本增加,传统的架构难以满足当前需求。此外,数据传输不仅增加了延迟,还消耗大量能源。
半导体专题篇:汽车半导体
数字化转型使汽车不仅仅是交通工具,更是一种数字化生活方式的延伸,通过智能化、互联化和电动化等技术,提升了汽车的安全性、便利性和用户体验。(二)半导体在汽车中的关键作用半导体在汽车行业中发挥着关键作用,推动了汽车的智能化、电动化和连接性。以下是半导体在汽车中的详细介绍:...
长鑫存储取得接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构专利...
长鑫存储取得接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构专利,减小了两者的接触电阻,垫片,通孔,介质,长鑫,半导体,接触窗,金属插塞,接触电阻
长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,该半导体...
长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免由于驱动电流较小而对性能产生的影响,栅极,电阻,漏极,源极,半导体,存储器,长鑫存储
华卓精科取得掺杂半导体的激活率计算方法专利,提升了半导体激活率...
金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,北京华卓精科科技股份有限公司取得一项名为“掺杂半导体的激活率计算方法、装置及电子设备“,授权公告号CN112687564B,申请日期为2020年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种掺杂半导体的激活率计算方法、装置及电子设备,涉及半导体技术领域,该方法包括:获取掺杂半导体的杂...