??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

一般说的是I/O端口,有的可以设置,有的不可以设置,有的是内置,有的是需要外接,I/O端口的输出类似于一个三极管的C,当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候,该电阻成为上拉电阻,也就是说,该端口正常时为高电平;C通过一个电阻和地连接在一起的时候,该电阻称为下拉电阻。5典型应用在外设没有收到控制时...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态损耗就越低。图:MOS管结构对于功率MOSFET来说,导通电阻与栅极电荷互为权衡(trade-off)关系,因为对于同一个器件结构来说,可以通过并联更...

MOS管GS电阻有什么作用?

t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...

MOS管G极与S极之间的电阻作用

t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs决定,这个过程中Vds会稍...

MOS管及其外围电路设计

当mos管关断时,其DS之间的电压从0上升到Vds(off),因此有很大的dV/dt,根据公式:i=CdV/dt,该dV/dt会在Cgd上产生较大的电流igd,如图3所示。图3mos关断时的对应电流该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足...

mos管怎么测试好坏

**二极管测试**:首先,将万用表调至二极管测试模式(www.e993.com)2024年11月9日。对于NMOS管,将红色探头连接源极,黑色探头连接漏极,此时万用表应显示0.4V至0.9V之间的读数,表示内部体二极管正向偏置正常。若读数为零或无读数,则MOS管可能损坏。**电阻测试**:将万用表调至电阻模式,测试MOS管的漏源电阻。正常情况下,漏源之间应具有高电阻...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...

I2C上拉电阻如何取值?

假设SDA是低电平时,即MOS管导通。那么,就可以求出上拉电阻R的阻值。上拉电阻计算公式:VOL定义为在漏极开路或集电极开路时,有3mA下拉电流时的低电平输出电压。IOL就是该端口的灌电流,即IOL=3mA。由上式可得,当VDD不变,VOL取最大值时,上拉电阻有最小值。

MOS管-IC电子元器件

3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。5、压控型MOS管(VDMOS):用于功率放大器,具有较低的导通电阻。04MOS管常见故障及预防措施

干货| MOS管防护电路解析

所以要在MOS管栅源极并联稳压管(图中D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅源极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷,不让电荷积累,实测单独焊接该下拉电阻(R516)还是不足以快速释放g极电荷,会导致mos管误触发,可靠的放电电路还是需要依赖MOS管g极->D507->驱动芯片地回路来进行...