如何让MOS管快速开启和关闭

对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似,如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短,那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。大家常用的...

吃透MOS管,看这篇就够了

1)MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件。2)MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则;图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MO...

MOS管烧了,可能是这些原因

超过+/-15V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障,应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。栅极驱动不足(不完全开启)MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的功率。工程师应该确保MOS管硬开启,以最大限度地减少传导期间的耗散。如果MOS管未完全开启,...

聊聊逆变器_手机新浪网

5、直流变换:由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。6、LC振荡及输出回路:保证灯管启动需要的1600V电压,并在灯管启动以后将电压降至800V。7、输出电压反馈:当负载工作时,反馈采样电压,起到稳...

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C等通信总线之间使用,因此逻辑转换器切换得足够快(转换速度)以与通信线路的波特率相匹配非常重要。

MOS管基础及选型指南

对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC(www.e993.com)2024年11月11日。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。

电源输入端防反接保护方案1——一般方案

PMOS管防反接电路的基本结构如下图,当电源正接上电时,MOS的G极电压为0V,S极电压为VIN-0.7,当输入电压足够高时,Vgs大于MOS的开启门限电压时,PMOS将会导通,导通后VOUT的电压只是VIN减去PMOS的导通压降,因此这种方式比二极管防反的压降要低。而当电源反接时,如下图,Vg电压等于VIN,Vs电压也等于VIN,达不到MOS...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

当VGS大于管子的开启电压VT(一般约为2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID,我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压,一般用VT表示。控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。

解析开关电源的冲击电流的几种控制方法

MOS管是电压控制器件,其极间电容等效电路如图8所示。图8.带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds可以由以下公式确定:公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。

详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性

因此,此时受体效应影响的阈值电压VTH的新的计算公式有如下表示:VTH0就是之前的那个阈值电压,一般我们工艺厂家会在SPICE文件中给出这个值,而VSB就是MOS管源极与衬底接触的电压差。为体效应系数,同样的,一般我们工艺厂家会在SPICE文件中给出这个值,在我们计算的时候直接带进去就可以的。