MOS管及其外围电路设计

式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得。从上面的分析可以看到,在mos管关断时,为了防止误开通,应当尽量减小关断时...

吃透MOS管,看这篇就够了

Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...

MOS管烧了,可能是这些原因

通过允许开关转换之间的死区时间(在此期间两个MOS管均不导通),可以最大限度地减少发生击穿的机会,这允许一个MOS管在另一个MOS管打开之前关闭。没有续流电流路径当通过任何电感负载(例如特斯拉线圈)切换电流时,电流关闭时会产生反电动势。在两个开关设备都没有承载负载电流时,必须为此电流提供续流路径。该电流通...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

具体公式不用细想,我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大,原有电路使用的是33pF的两个电容,则并联起来是16.5pF,我们的贴片电容只有27pF,33pF,39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联,则电容为15.95pF。电容焊好后,测量比原来大了200多赫兹,落在了设计范围内。对于这电容来说,大家应该再熟悉不过了...

iPhone16正式发售,多款移动电源单芯片助力充电宝产品升级迭代

水芯M12229是一款单路快充移动电源SOC,集成高效数字同步开关Buck-Boost转换器,开关频率最高1MHz;最大输入/输出功率35W,内置快充协议和SOC算法,支持线损补偿,支持CC/CV电源模式。水芯M12229支持2串电芯,电芯规格支持4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V;芯片支持充电电流自适应,最大充电电流3A,集成电池充...

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)(www.e993.com)2024年11月4日。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...

反激电源电路分析

单端反激式开关电源是一种成本最低的电源电路,输出功率为20-100W,可以同时输出不同的电压,且有较好的电压调整率。唯一的缺点是输出的纹波电压较大,外特性差,适用于相对固定的负载。单端反激式开关电源使用的开关管VT1承受的最大反向电压是电路工作电压值的两倍,工作频率在20-200kHz之间。

SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用

SiCMOSFET具有更高的耐压性、更低的导通电阻和导通损耗、更高的开关频率以及更宽的工作温度范围,这些特性使得其在新能源汽车的电机驱动、电池管理以及DC/DC变换器等场景中表现出色。据新思界产业研究中心发布的报告,随着国内新能源汽车产销规模的快速增长,SiCMOSFET的市场需求持续增长,市场渗透率不断提升。特别是在...

2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)

以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作用,从而可以驱动MOS管。

干货| 工程师手把手教你硬件电路设计

Vo经过R1、R2分压后送入第一个放大器(误差放大器)的负端V+,误差放大器的输出Va做为第二个放大器(PWM放大器)的正端,PWM放大器的输出Vpwm是一个有一定占空比的方波,经过门逻辑电路处理得到两个反相的方波Vg1、Vg2来控制MOSFET的开关。误差放大器的正端Vref是一恒定的电压,而PWM放大器的负端Vt是一个三角波...