上海工程技术大学2025研究生考试大纲:半导体物理

(1)全面、系统地掌握集成电路制造工程及纳电子科学相关基本概念与基础理论;(2)具备运用半导体物理基础理论分析并解决集成电路制造领域实际问题的基本能力。二、考试内容第一章掺杂半导体的导电性1.掺杂和载流子;2.电导率和电阻率,迁移率;3.四探针测电阻率。复习重点:掌握掺杂,熟悉电导率和电阻率和...

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...

按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:根据工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)》,一类是具有高电阻率(电阻率>电阻率≥100,000Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。碳化硅衬底可分为半绝缘型衬底和导电型衬底,具体情况如下...

2024年南京邮电大学硕士研究生考试大纲

1.电学性质的表述(电导率、电阻率、电子导电、离子导电等)2.固体的能带理论3.金属与半导体的电导率4.绝缘体的电导率和介电性《物理化学》考生大纲一、基本要求1.掌握热力学研究方法的特点,理解热力学基本原理,并运用热学基本原理和方法处理溶液、相平衡、化学平衡、电化学和表面物理化学等方面的一...

碳化硅产业链深度解析:碳化硅东风在即,产业链爆发拐点将至

第三代半导体渗透率逐年上升,SiC渗透率在2023年有望达到3.75%,GaN渗透率在2023年达到1.0%,第三代半导体渗透率总计4.75%。政策:大力支持,深入布局陆续出台相关政策,第三代半导体蓬勃发展。国家持续出台相关政策支持第三代半导体发展,2016年7月,国务院《关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知》明确发展第三...

山东天岳先进科技股份有限公司2021年度报告摘要

公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件,具备广泛应用于5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道...