中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

此外,kmos=??nch??feCoxW/L是与制造相关的参数,其中W为沟道宽度,L为沟道长度,Cox为栅氧化层电容。k和Vth都与温度相关。当器件完全导通时,Vds非常小,因此Rch可以写为:其中krs是一个常数系数,α应该接近公式(1)中的2.7。1.4实验与参数提取本文通过实验测量了研究对象在不同栅极电压和温度下流过SiC...

高压SiC MOSFET研究现状与展望

Si、4H-SiC2种半导体材料的主要特性如图1所示,其中Si的带隙宽度为1.12eV、热导率为1.5W/(cm·℃)、击穿场强Ec为2.5×105V/cm,而4H-SiC的带隙宽度为3.26eV、热导率为4.9W/(cm·℃)、Ec可达2.5×106V/cm。4H-SiC功率器件有着10倍于Si功率器件的击穿场强,这意...

博客推荐:Cadence中如何求一条曲线的斜率?

链接:httpsblog.eetop/blog-1790365-6950597.html仿真了一个共源级放大电路的输出特性曲线,考虑沟道长度调制效应,想得到沟道长度调制系数和Vds的关系,但是不知道怎么把Id-Vds曲线的斜率弄出来,请教了一个学长才把这个问题解决,想着就记录一下,这里也很感谢学长的热心答疑。如图1所示,是一个共源级放大电路...

后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战

后来,CaoQing等人还利用末端接触技术和ALD生长的氧化铝栅介质实现了接触长度和沟道长度均为10nm左右、整体尺寸相当于硅基5nm技术节点的单管P型器件,0.5V工作电压下的归一化开态电流可达700~900μA/μm、亚阈值摆幅约85mV/dec、关态漏电流仅为4nA,整体性能优势达到硅基先进...

亚阈值数字标准单元库设计

基于对0.18μm标准CMOS工艺最小能耗点的研究,以及对亚阈值电压下NMOS和PMOS电流电压特性和PMOS的反短沟道效应的研究,提出了沟道宽度调节和PMOS沟长调制结合的尺寸设计策略,根据数字标准单元库设计流程建立了一套完备的亚阈值数字标准单元库。亚阈值库单元的噪声容限在电源电压的35%以上,并采用ISCAS基准电路完成单元库的...