2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国北卡罗来...
瞭望| “聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。????此外,决策系统硬件...
格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”
该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极结构靠近漂...
行业市场前景分析|智研产业百科「670」——绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(简称IGBT)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。绝缘栅双极晶体管按照产品集...
整理分类:晶体管的类型分析
晶体管可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、高反压晶体管、阻尼晶体管、光电晶体管、带阻晶体管、磁敏晶体管等。功率晶体管功率晶体管GTR是一种双极结型晶体管,可以承受电流和高电压。因此有时也称为功率BJT。其特点是:耐压高、电流大、开关特性好。但其驱动电路复杂,...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
今天给大家分享的是:TTL电路的分析、TTL电路工作原理、TTL电路使用方法(www.e993.com)2024年9月11日。本文引用地址:TTL是一种集成电路,通过使用双极晶体管来执行逻辑功能以提供开关功能。TTL设备最重要的特性是门的输入在未连接时将为逻辑高电平(1)。该技术用于设计和制造集成芯片,其中包含逻辑门和双极晶体管、电阻和二极管。TTL设备解决...
9月12日起施行!光明区真金白银支持新型储能产业发展
针对钠离子电池、钠盐电池、液流电池、半固态/固态电池、燃料电池等薄弱或缺失领域及储能电池绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金氧半场效晶体管(MOSFET)、数字信号处理(DSP)等关键元器件的重大项目,按实际投资的20%,给予最高5000万元资助或按不超过计划投资的30%、最高2亿元申请光明区政府投资引导基金股权投资。《...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
下面是一些常见的小信号三极管封装的引脚排列方式:塑料封装的TO-92通常是如上图这样排列的。金属罐封装的TO-18通常也是如上图排列的,靠近伸出来的小金属片的是发射极。SOT-23封装通常是如上图排列的,集电极是单独的一个引脚。注意,是通常,并不是所有,具体以三极管数据手册为准。
半导体芯片,到底是如何工作的?
█晶体管电子管高速发展和应用的同时,人们也逐渐发现,这款产品存在一些弊端:一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...