吃透MOS管,看这篇就够了
6).场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7).场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但是场效应管制造工艺简单,并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性,在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管,目前的大规模和超大规模集成电路中,...
孙其君研究员团队AFM:基于范德华异质结的摩擦电垂直场效应晶体管
摩擦纳米发电机可有效实现机电信号转换,并源源不断的获取外部机械能来驱动微纳传感器件或实现自驱动智能感知。通过集成摩擦纳米发电机与场效应晶体管,可以有效地利用机械运动产生的摩擦电信号来调制半导体沟道的导电状态,因此衍生出了一类新型的半导体器件-即摩擦电子学器件。该类半导体器件已经广泛应用于人工仿生突触器件、...
0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET
GAAFET即环绕栅极场效应晶体管,其架构本质就是把FinFET的Fin旋转90°,然后把多个Fin横向叠起来,这些Fin都穿过gate。GAAFET有两种结构,一种是使用纳米线(Nanowire)作为电子晶体管鳍片的GAAFET;另一种则是以纳米片(Nanosheet)形式出现的具有较厚鳍片的多桥通道场效应管MBCFET。据悉,三星在3nm制程节点就已经导入GAAFET...
Nature:晶体管的未来
图3.晶体管是驱动信息技术产业各个方面的强大引擎。图源:Nature620,501–515(2023).晶体管的未来发展将不仅推动信息技术领域的发展,还将深刻影响我们日常生活的方方面面。首先,一个引人注目的方向是新的器件结构和材料的出现,以实现更高的性能和能效。负电容场效应晶体管(NegativeCapacitanceFET,简称NC...
“自我实现的预言”摩尔定律,如何继续引领创新
英特尔将于Intel20A和Intel18A两个节点开始采用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术,开启半导体制程的“埃米时代”。接下来的Intel14A将采用High-NAEUV(极紫外光刻)技术。英特尔也在探索互补场效应晶体管(CFET)架构和直接背面触点等更先进的背面供电方案。
半导体专题篇十五:功率半导体
MOSFET是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管(www.e993.com)2024年9月9日。它具有高输入电阻、低开关损耗、高开关速度等优点,因此在高频率、低功率应用中得到了广泛应用。在功率电子领域,MOSFET通常用于低电压、高频率的应用,例如电源适配器、直流-直流变换器等。(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)...
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的1.5kW48V/12VDC/DC演示板,于轻度混合动力汽车和电池备用装置实现更高效、更小、更快的双向转换器EPC9137是一款两相的48V/12V双向转换器,以小型化解决方案提供1.5kW功率,效率为97%,适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。
场效应管在直流电机驱动控制电路的设计
6结束语以N沟道增强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制的驱动控制电路,对直流电机的正反转控制及速度调节具有良好的工作性能。实验结果表明,直流电机驱动控制电路运行稳定可靠,电机速度调节响应快。能够满足实际工程应用的要求,有很好的应用前景。
如何使用氮化镓:氮化镓场效应晶体管的驱动器和版图的考虑因素
为了实现氮化镓场效应晶体管的最高性能,我们建议使用4V至5V的驱动器,如图1所示。由于氮化镓器件具较低的最高栅极电压,因此建议使用可调控电压的栅极驱动电路,以确保安全操作。我们与德州仪器公司合作开发一系列驱动器,旨在简单及可靠地解决驱动氮化镓晶体管一直以来所面对的挑战。这些驱动器系列可帮助设计师在大部分...
电力场效应管的结构和工作原理
功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。