MOS管-IC电子元器件
1、N沟道MOS管(NMOS):沟道区域为N型半导体,栅极电压为正时导通。2、P沟道MOS管(PMOS):沟道区域为P型半导体,栅极电压为负时导通。3、增强型MOS管(EnhancementMOSFET):栅极电压为正时导通,栅极电压为零时截止。4、耗尽型MOS管(DepletionMOSFET):栅极电压为负时导通,栅极电压为零时截止。5、压控型MOS管(V...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反。解释3:增强型相对于耗尽型,增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通,栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,栅极电压达到一个值,叫...
MOS管H桥电路与专用电机驱动方案
方案一:MOS管H桥电路方案MOS管H桥电路图所谓MOS管H桥电路,是指使用4个N型MOS管(也可以使用2个N型MOS管与2个P型MOS管),设计一个字母H形状的电路,4个MOS管的中间连接电机;4个MOS管中,Q1与Q2两个MOS管的漏极连接电源的VCC,Q3与Q4两个MOS管的源极连接电源的GND,Q1、Q2和Q3、Q4这四个MOS管的栅极连接...
MOS管的三个极怎么判定?
它的判断规则就是:N沟道,由S极指向D极;P沟道,由D极指向S极。4.简单的判断方法上面方法不太好记,一个简单的识别方法是:(想像DS边的三节断续线是连通的)不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都由D指向S。5.MOS管的作用?在我们天天...
吃透MOS管,看这篇就够了
解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反。解释3:增强型相对于耗尽型,增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通,如图。栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,栅...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
低压同步整流管威兆VS1605APM威兆VS1605APM是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻6.3mΩ,采用PDFN5*6封装(www.e993.com)2024年10月20日。这款器件100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,可用于同步整流电路。1、拆解报告:绿联100W2C1A三口氮化镓快充充电器2、拆解报告:绿联65W2C1A超薄氮化镓充电器...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
可控硅二极管:电子世界的智能开关
SCR是一种三层PNPN结构的器件,它由三个半导体层组成,分别是P型半导体、N型半导体和P型半导体。SCR通常处于断开状态,当施加一个触发电压在控制端时,它将变为导通状态。一旦导通,SCR将继续导通,直到电流降至零或者通过控制端施加一个关断电压来关闭它。这种自持续导通的特性使SCR成为理想的开关器件。
低压-30V/-100V/-150V耐压p-mos管选型参数,士兰p型mos管选型!
SVGP15161PL3AP沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装,漏源电压:-150V,漏极电流:-9A,RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V,典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。SVGP15751PL3-3A-150Vp型mos管采用DFN-8-3*3封装,具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点,是-3A、-150...
mos管和双极型晶体管的区别
BJT有三个区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。发射区和集电区是N型或P型半导体,基区是从一侧掺入另一一侧的另一种半导体材料,构成PNP或NPN结构。MOS管分为N沟道型和P沟道型,它们的基本结构是基于一个四层复合结构:衬底(Substrate)、绝缘层(Insulator)、栅极(Gate)和源/漏极(Source/D...