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nmos掺杂类型
台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
6月7日 11:05 - 金融界网站
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ms掺杂模型
nmos掺杂什么
n掺杂和p掺杂定义
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掺杂浓度为nd的n型半导体硅材料中如果杂质完全离化
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mos管掺杂类型
n+掺杂
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