吃透MOS管,看这篇就够了

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mo...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...

MOS管基础及选型指南

因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。一般主板上使用最多的是增强型MOS管,NMOS最多,一般多用在信号控制上,其次是PMOS,多用在电源开关等方面,耗尽型几乎不用。▉N和P区分每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S...

彻底弄清MOS管 (NMOS为例

好,到我们敲黑板知识点:PMOS的全称叫P沟道MOS管,容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型,立即推:S和D端区域写了N,管子就是NMOS;S和D端区域写了P,管子就是PMOS。好,继续敲黑板知识点:MOS管的标准符号中,衬底的箭头方向指的是衬底中“电子”的移动方向,上述的NMOS管中衬底里的电子被栅极高电压...

干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?

由于MOS管越来越便宜,所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。1)NMOS管防止电源反接电路:正确连接时:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,所以S的电位大概就是0.6V,而G极的电位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压,MOS管的DS就会导通,由于内阻很小,所以就把寄生二极管短路了,压降几乎为0。

MOS管知识最全收录

MOS管工作原理1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示(www.e993.com)2024年11月9日。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS...

MOS管电流方向能反吗?体二极管能过多大电流?

本来写到这里,文章也已经可以结束了,不过我还是想着能不能从MOS管的原理上看出上面的内容。以下是我的一些理解,供参考。NMOS管的结构我们看一下NMOS管的结构。以NMOS为例,如上图,S和D都是掺杂浓度比较高的N型半导体,衬底为P型半导体,并且衬底和S极是接到一起的。

【技术专栏】一文详解MOS管,看这个就够了!

1、MOS管的构造;在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道...

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

MOS管工作原理1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS...

「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

PN结是半导体的基础,掺杂是半导体的灵魂,先明确几点:1、P型和N型半导体:本征半导体掺杂三价元素,根据高中学的化学键稳定性原理,会有“空穴”容易导电,因此,这里空穴是“多子”即多数载流子,掺杂类型为P(positive)型;同理,掺杂五价元素,电子为“多子”,掺杂类型为N(negative)型。