扬州阿特斯申请太阳能电池专利,适合产业化推进

所述第二掺杂结构位于自硅衬底的背面向正面凹陷设置的区域,所述第二掺杂结构为遂穿钝化接触结构,所述遂穿钝化接触结构与扩散区的掺杂类型相反;间隔区,位于所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构之间;第一电极,位于所述第一掺杂结构的

上海超致半导体申请超结开关器件专利,改善体二极管反向恢复特性

该超结开关器件包括:衬底;设置于衬底一侧的第一体区;设置于衬底和第一体区之间的第一掺杂型柱和第二掺杂型柱;第一体区的掺杂类型与第一掺杂型柱的掺杂类型相同;第一体区与第二掺杂型柱邻接,第一体区与第一掺杂型柱不邻接;栅极;栅绝缘层;源区;辅助沟道区,邻接于第一掺杂型柱和第一体区之间;辅助沟道区的掺杂...

...| 华中科技大学李箐团队:调节金属间Pt基催化剂的化学键类型...

鉴于此,华中科技大学李箐等通过调节金属间铂基催化剂的化学键类型的方法来解决这一问题。该工作以“IntroducingCovalentMetal-PhosphorusBondsintoIntermetallicPlatinum-BasedCatalystsforHigh-PerformanceFuelCells”为题发表于Renewables。以磷(P)掺杂的L10-PtFeGa(P-L10-PtFeGa0.1/C)为例,掺杂的P将电子...

华润上华“具有隔离结构的半导体器件及其制造方法”专利公布

具有第一导电类型,位于所述衬底中;所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;第一极掺杂区,具有第一导电类型,位于所述第一导电埋层的上方;第二极掺杂区,具有第一导电类型,位于所述第一导电埋层的上方、所述第一极掺杂区的两侧;隔离结构,包括位于隔离槽侧壁的绝缘层,所述隔离槽从所述第二极掺杂区向下...

晶圆工艺中的扩散过程详解

掺杂物类型:不同的掺杂物有不同的扩散系数(即扩散的快慢例如,砷的扩散系数较低,因此它扩散得相对较慢,而磷和硼的扩散系数较高,扩散速度更快。浓度梯度:扩散的动力来自于掺杂物浓度的差异。浓度差越大,扩散速度越快。这个过程会持续,直到浓度趋于平衡。

燕东微获得发明专利授权:“瞬态电压抑制器及其制造方法”

一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区,第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成多个第一隔离岛和多个第二隔离岛;分别位于各个第一隔离岛和各个第二隔离岛中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区,各个第一掺杂区分别与对应的第二掺杂区之间电性连接以...

电化学氢-水转化系统中电解水和氢燃料电池催化剂的设计丨...

Huang等合成了金属和非金属元素共掺杂的石墨烯,并揭示了氮掺杂石墨烯中的氮结构和微量金属原子对HER催化的作用。该研究发现,季铵态氮是氮掺杂石墨烯中三种掺杂氮类型中最活跃的位点。而当掺杂微量钴原子时,平面氮的活性最强;当微量钴原子被镍取代时,平面氮的活性则被抑制。

...制造方法专利,该半导体器件包括源极和漏极,分别具有第一掺杂类型

包括源极和漏极,分别具有第一掺杂类型;栅极,位于所述源极与所述漏极之间;以及源极触点和漏极触点,所述源极触点与所述源极接触,所述漏极触点与所述漏极接触,所述源极触点和所述漏极触点中的每个触点包括半金属层以及被掺杂在所述半金属层中的掺杂物,所述掺杂物为与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。

晶扬电子申请集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法专利...

延伸至所述第一导电类型外延漂移区内部的接触孔,所述第二导电类型体区与接触孔侧壁之间设有第二导电类型重掺杂体区,所述接触孔内设有肖特基势垒金属,所述肖特基势垒金属与所述接触孔底部的第一导电类型外延漂移区能够构建源极的肖特基二极管,所述接触孔下方的第一导电类型外延漂移区内设有第二导电类型重掺杂屏蔽...

剧评丨《边水往事》火爆收官,悬疑冒险剧类型突破成就年度爆款

沈星、但拓兄弟惺惺相惜、向彼此交付后背的至真情义让大批观众感动泪目，沈星和猜叔猜疑与信任掺杂、在沈星离开之时却有如父如子的温情，细密的情感丰富着悬疑冒险故事的内核。更为难得的是，该剧讲述一个主人公关关难过关关过的悬疑冒险故事，却并未落入爽剧的窠臼，价值表达动人。主人公沈星的奇遇上半场屡次险境...