复旦大学开发出超快双极性闪存器件,实现自激活存算一体技术

针对这一关键问题,集成芯片与系统全国重点实验室、复旦大学微电子学院周鹏教授、芯片与系统前沿技术研究院刘春森研究员创造性地开发出超快双极性闪存器件,并实现了自激活存算一体技术。该成果利用团队前期提出的范德华异质结超快闪存的三大要素新机理,引入双极性二维半导体作为沟道,成功实现了高鲁棒性超快双极性闪存。通...

NAND闪存卡行业战略决策及重点领域需求报告2024-2030年

(3)消费电子成为需求引擎1.2.4行业发展技术环境分析(1)行业专利申请数量(2)行业专利类型分析(3)技术领先企业分析1.3NAND闪存卡行业产业链分析第2章:全球NAND闪存卡行业现状及趋势分析2.1全球NAND闪存卡行业发展概述2.1.1全球NAND闪存卡行业发展历程2.1.2全球NAND闪存卡行业发展特征(1)产业周期性...

固态硬盘的寿命揭秘:你需要知道的使用与维护技巧

固态硬盘的核心技术是闪存(NANDFlash)。与传统机械硬盘依赖于物理旋转的磁盘和移动的读写头不同,固态硬盘通过电子方式存储数据。这种结构使得SSD在读写速度和耐用性上都有显著优势。1.1闪存类型(TypesofNANDFlash)闪存主要分为几种类型,包括SLC(单层单元)、MLC(多层单元)、TLC(三层单元)和QLC(四层单元)...

固态硬盘的耐用性与使用寿命:如何优化存储体验

高温可能导致闪存芯片的退化,从而缩短SSD的使用时间。数据管理技术(DataManagementTechniques)现代SSD采用了多种数据管理技术,如垃圾回收和磨损均衡,以延长使用寿命。垃圾回收可以清理未使用的数据块,而磨损均衡则确保所有存储单元均匀使用,避免某些单元过度磨损。SSD的类型(TypeofSSD)不同类型的SSD(如SATA、...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

1、NAND闪存概述NAND闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。在这种设备中，工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面，而根据浮置栅极中存储的电荷类型，便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时，在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅...

FASS全闪存存储:融合鲲鹏技术,推动存储性能革命

北京大道云行科技有限公司(简称:大道云行),作为业界领先的软件定义存储产品与技术服务商,引领新一代全闪软件定义存储技术创新(www.e993.com)2024年11月22日。其自主研发的FASS系统采用顶尖的全闪存硬件架构,不仅轻松实现千万级IOPS与微秒级延迟,更可完美满足虚拟化、数据库、人工智能等领域对存储性能与灵活性的严苛要求,进而推动企业数字化转型与业务...

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料:可降低层高和延迟

据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减,还能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来...

华为发布全闪存存储技术,高性能M.2闪存条上市,引领行业变革!

华为给中小企业和个人用户，带来了新一代的存储技术——全闪存存储。提到存储，通常意味着大的数据量。我们都知道，市面上现有的硬盘厂商，主要就是美日韩的企业，例如希捷、西部数据、东芝、三星等等。他们不仅市场占有率高，而且还掌握着各种技术的专利。或者说，在硬盘这个领域，也存在卡脖子的风险，说断供就能断...

更快更小!三星二代QLC闪存技术公开:速度直接翻倍!

三星此次对UFS4.0技术的升级，尤其是通道数量的增加和顺序读取速度的提升，对于大数据处理和AI计算的效率的提升应该非常显著。除此之外，三星还计划于2027年推出全新的UFS5.0协议的闪存产品，顺序读取速度有望提升至10GB/s以上。（图源：三星半导体官网）可以预见，除三星外，其他内存厂商也会陆续跟进，毕竟在大...

深圳:大力发展先进存储技术 加速全闪存、蓝光存储、硬件高密等...

大力发展先进存储技术。鼓励存算并举,规划建设与计算相匹配的存储体系。加速全闪存、蓝光存储、硬件高密等技术部署,构建基于先进存储的存力基础设施。推动存储系统间数据流动能力建设,通过合理的存储分级分层,实现存储资源的高效管理和利用。