【个股价值观】士兰微:碳化硅器件加速迭代,增收不增利局面延续
1、士兰微搭建特色工艺的芯片制造平台,产线覆盖4/5/6/8/12英寸,在功率器件、功率模块、MEMS传感器、高端LED彩屏像素管和光电器件的封装领域,建立了较为完善的IDM经营模式。2、士兰微在功率分立器件、集成电路、MEMS传感器等方面拥有国内领先的核心技术,并且在IGBT、MOSFET等产品性能上达到了国内领先水平。报告期内...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
计算IDS(on)rms时使用的时期仅是导通时间Ton,而不是整个工作周期Ts;RDS(on)会随IDS(on)(t)值和器件结点温度不同而有所不同,此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的RDS(on)值(即乘以规格书提供的一个温度系数K)。2、截止损耗Poff截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压...
吃透MOS管,看这篇就够了
1)MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件。2)MOS管道输入特性为容性特性,所以输入阻抗极高。4、MOS管的电压极性和符号规则;图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MO...
我们拆了几十款大功率车充,就为了看看有哪些协议芯片
英集芯IP6525T是一款集成同步开关的降压转换器、支持4种输出快充协议,其内置功率MOS,降压转换效率高至98%,输入电压范围是9.6V到32V,输出电压范围是3V到12V,最大能提供18W的输出功率。INJOINIC英集芯IP6538另一块小板上的降压协议IC采用英集芯的同步整流降压转换器IP6538,这是一款集成同步开关的降压转换器、支持14种...
士兰微:车规SiC率先批量供应,IGBT/GaN上车在即
士兰微:首先风光储这个赛道,整个市场处在增量过程当中,同时也有国产替代的需求。这对于士兰来讲是一个非常好的机遇。但是同时也存在一定的挑战,比如应用工况比较恶劣,对功率器件产品的参数性能和可靠性要求高;士兰当前已按最高的性能和可靠性要求设计制造功率器件产品,满足风光储应用要求。
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
MOS管是电压控制器件,其极间电容等效电路如图8所示(www.e993.com)2024年9月21日。图8.带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds可以由以下公式确定:公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。
A股功率器件top5公司营收增速简析|2024年一季报
过去一年,新洁能的各类别的功率器件收入出现了不同程度的下降:SGT-MOSFET、TrenchMOS、SJ-MOSFET、IGBT产品实现销售收入分别为5.46亿元、4.54亿元、1.84亿元和2.66亿元,分别下降:19.8%、9.3%、13.6%和34%,其中IGBT产品收入下滑最多,受累于下游光伏储能客户处于消化库存阶段,整体处于供大于求的状态。
宏微科技获116家机构调研: 公司自主研发的SiC 二极管及MOS芯片...
答:公司主要的SiC产品分两类,一类是混封的,主要用在光伏,目前出货量较大。第二类是纯SiC封装,量相对较小,明年预计会有较大幅度的增长。公司自主研发的SiC二极管及MOS芯片已经逐步定型和小批量。在电动汽车方向,公司SiC灌封产品对标英飞凌HPD产品,且公司单面散热SIC塑封模块明年也会有所突破,形成销售。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
信号干扰的来源多种多样,可以将其划分为内部干扰和外部干扰两种。内部干扰主要来源是无源器件和有源器件的干扰;而外部干扰分为杂散干扰、互调干扰、阻塞干扰。19、SPI的几种工作模式解题思路SPI总线有四种工作模式,通过CPOL(时钟极性)和CPHA(时钟相位)来控制是哪种模式。①CPOL=0,CPHA=0:此时空闲态时SCLK处于低...
士兰微电子成功参展 AUTO TECH 2024 华南展
1.士兰自研超结MOS、SiCMOS2.低导通损耗、开关损耗3.高功率密度低压MOSFETSilan分立器件应用:车身域、EPS、泵类等特点:1.士兰LVMOS工艺制造2.40V-150V不同电压等级及功率等级3.封装覆盖范围广4.较低的导通损耗和优越的开关性能...