芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在电源关闭时也能存储数据。它目前用于智能手机、U盘和服务器等设备。根据市场追踪机构TrendForce的数据，截至第二季度，三星已成为NAND领域的主导企业，控制着全球36.9%的市场份额。三星高管表示，公司的目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以提高密度和存储能力。DRAM发展...

【深度】NOR闪存的又一春?

在NOR闪存争战中,赛普拉斯攻势凌厉,目前正式推出SemperNOR闪存产品系列。据介绍,其创新体现在以下几个方面:一是集成了ARMCortexM0芯片,从而可执行一些特别诊断、安全重启、保护等功能。二是采用独有的EnduraFlex架构,其优势在于,擦除循环的周期可以保证100万次以上,甚至可达到256万次;数据的存储可达到25年之...

第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏

第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q1TBSSD图赏快科技10月8日消息,日前长江存储PC41Q1TBSSD发布,提供512GB/1TB/2TB可选。现在这款新品的1TB版已经来到我们评测室,下面为大家带来图赏。长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。PC4...

愤怒!美国打压中国NAND芯片后,美光、三星迅速领先!

本来国内存储芯片行业在某些方面已经取得了一定的优势，但美国的限制政策无疑将这一领先的时间窗口大幅缩短。紧接着，三星、SK海力士和美光等巨头迅速跟进，推出了自己的232层3DNAND闪存，并从2022年到2024年之间，不仅推出了232层的闪存产品，更进一步研发出了300层的堆叠技术。这一切仿佛是在提醒我们，竞争从未停歇，...

至讯创新量产512Mb工业级NAND闪存芯片

至讯创新量产512Mb工业级NAND闪存芯片至讯创新科技(无锡)有限公司(简称:至讯创新)成功量产并发布512Mb高可靠性二维NAND工业级闪存芯片,实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸。这款全新的工业级闪存芯片拥有512Mb的产品容量,在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时,对芯片尺寸做了全面优化,性价比优势凸显。512Mb的...

关键闪存芯片供不应求 SSD价格或起飞在即

“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片(www.e993.com)2024年11月22日。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个3DNAND器件封装在一起,以确保高性能。在东方财富看资讯行情,选东方财富证券一站式开户交易>>...

劣质闪存芯片暗藏 U 盘和 SD 卡中,数据恢复公司揭露黑幕

闪存芯片由存储单元组成,每个单元可以存储一定比特的数据。早期闪存芯片采用单层单元(SLC)技术,每个单元只能存储1个比特,虽然可靠性高,但存储密度较低。为了提高存储密度,厂商不断增加每个单元存储的比特数,但这也带来了可靠性下降的负面影响。目前市面上最常见的QLC闪存芯片,每个单元可以存储4个比特,虽然...

中国存储芯片崛起:三星内存和闪存一年亏损800亿!

中国存储芯片崛起:三星内存和闪存一年亏损800亿!三星前段时间公布2023财年业绩,预计2023财年三星收入将达到258.16兆韩圆(1.4兆),同比下降15%。运营收益为6.54兆韩圆,较去年下降了85%。三星公司盈利大幅下降的原因很明显是由于三星公司的芯片产业衰退,其公司在2022年第四季的运营损失将达到750亿至8千亿元。

年中已过,存储芯片Q3涨势如何?

存储芯片产业界近日传来消息,通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。随着业界对高带宽存储(HBM)这类DRAM的大力投资,通用型DRAM的产能利用率相对较低,三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间,与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。与HBMDRAM相比,通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片,这一供应短缺的信号...

存储芯片行业多点开花,复苏脚步提速!

兆易创新表示,上半年消费、网通市场需求回暖,带动存储芯片产品销量和营收增长;经营上持续进行研发投入和产品迭代,多条产品线竞争力不断增强,促进产品销量和营收增长。Flash产品下游终端需求回升,自研DRAM产品组合持续丰富且市场拓展效果明显,带动产品出货量较快增长。