上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善...

专利摘要显示,本发明公开了一种超级闪存,器件单元包括位于源区顶部的第一栅极沟槽,在第一栅极沟槽的侧面自对准形成有第一侧墙结构,第一侧墙结构通过对第一隧穿介质层、浮栅和第二氧化层的叠加层自对准刻蚀形成。浮栅的材料包括TiN层第侧墙结构的第二侧面自对准形成有第二侧墙结构,第二侧墙结...

我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限

该器件是目前国际最短沟道闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿命和多态存储性能。研究人员介绍，此项研究工作将推动超快闪存技术的产业化应用。

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件...

复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成

同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态...

复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失

同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态...

国际首次!复旦团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩

此外,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是目前最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)(www.e993.com)2024年11月24日。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能...

复旦大学研发超快闪存集成工艺,突破存储速度极限

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储...

新研究将推动超快闪存技术产业化应用

这是当前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿命和多态存储性能。

复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失。-24...

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储...

全球闪存峰会预热:RRAM的关注度

写在最后这些动态也在显示,RRAM技术始终在向前发展,并在多个领域得到应用。8月28日,2024年全球闪存峰会即将召开,欢迎大家来南京,了解新型存储器的动态和趋势。而且不只是全球闪存峰会,现在到未来,我们都将密切关注存储新器件的创新与突破。