联想充电器AC-DC主控芯片选型变化_腾讯新闻

芯片内部集成控制器,高压MOS管,同步整流控制器和反馈电路,集成度非常高,有效简化快充电源设计。相关阅读:1、拆解报告:联想30WPD快充充电器45W功率段Lenovo联想拯救者45WUSBPD快充充电器联想拯救者电竞手机Pro专用45W充电器采用PC阻燃材质外壳,表面哑光处理具有类肤手感,使用手感好。USB-C口支持PD3.0和PPS协...

微型光伏逆变器MOS管选型难?不如看看这篇文章

Infineon英飞凌BSC190N15NS3-G上图四颗升压MOS管均来自英飞凌,型号BSC190N15NS3-G,是一颗耐压150V,导阻19mΩ的NMOS,使用两颗并联,四颗对应两个变压器。内置高压功率器件ST意法半导体STB18NM80还有两颗MOS管来自意法半导体,型号STB18NM80,这是一款耐压800V,导阻为250mΩ的NMOS。相关阅读:1、拆解报告:...

MOS管选型难?不如看看这篇永源微案例汇总

2、维普创新Qi2MPP无线充电模组解析无线充电功率管永源微AP8H04DF永源微AP8H04DF是一颗耐压40V的双NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V。导阻16mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。应用案例:1、维普创新Qi2MPP无线充电模组解析同步升降压开关管永源微AP68N04NF永源微AP68N04NF是一款采用APM-SGTV技...

MOS管及其外围电路设计

式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得。从上面的分析可以看到,在mos管关断时,为了防止误开通,应当尽量减小关断时...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻...

快充设计选型难?不如看看这些杰华特历年拆解案例

杰华特JW1565J是一颗氮化镓合封芯片,这款合封芯片将高频氮化镓直驱控制器,氮化镓功率管合封在一个封装内部,减小寄生参数对高频开关的影响,JW1565J内部集成高压启动和X电容放电功能,芯片内部集成700V耐压,165mΩ氮化镓开关管(www.e993.com)2024年11月11日。杰华特JW1565J具备宽供电电压范围,采用QR工作模式提升能效,芯片具备可选的过电流和过功率保护...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSF...

分享几个常用的电平转换电路

②MOS选型Vgs(th)阈值电压。MOS管Vgs电压过高会导致MOS管烧坏,过低也会导致MOS管打不开。实际使用时为保证完全导通,设计上要多预留余量。MOS管常用2N7002,便宜可靠。小结:二极管,三极管和MOS管组成的电平转换电路,优点是价格便宜,缺点是要求使用在信号频率较低的条件下。选型时,尽量选用结电容小、开关速率高的...

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

27个常用器件数据手册讲解,总共32讲视频录制完成

第14讲mos管数据手册解读第15讲光耦数据手册解读第16讲运放数据手册解读(1)第17讲运放数据手册解读(2)第18讲比较器数据手册解读第19讲逻辑器件数据手册解读第20讲adc数据手册解读(1)第21讲adc数据手册解读(2)第22讲ldo数据手册解读(1)...