联想充电器AC-DC主控芯片选型变化_腾讯新闻

芯片内部集成控制器,高压MOS管,同步整流控制器和反馈电路,集成度非常高,有效简化快充电源设计。相关阅读:1、拆解报告:联想30WPD快充充电器45W功率段Lenovo联想拯救者45WUSBPD快充充电器联想拯救者电竞手机Pro专用45W充电器采用PC阻燃材质外壳,表面哑光处理具有类肤手感,使用手感好。USB-C口支持PD3.0和PPS协...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻03最后考虑在关断后期的电压尖峰,MOSFET的雪崩...

MOS管选型难?不如看看这篇永源微案例汇总

熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Coolmos),BCD5V-60V工艺,CMOS5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷...

车充芯片选型难?不如来看看这些高功率车充应用的同步升降压芯片

MERCHIP水芯电子M12349SOC芯片支持PD3.1,QC3.0,SCP,FCP,AFC等主流快充协议,外置MOS管和电感等元件即可组成完整的USB-C大功率快充解决方案,外置DC-DC可实现C+A双口独立快充。芯片内置环路补偿电路,具备完善的保护功能。应用案例倍思140W1A1C快充车充倍思推出的一款140W车充,这款车充为1C1A双接口设计,USB...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSF...

高功率电源芯片选型难?不如看看这篇PI拆解案例汇总

PISC1716主控芯片内置PWM控制器、高压MOS管、同步整流控制器以及隔离反馈,集成度高,无需光耦反馈,相比传统方案具有更高的集成度,简化设计与生产(www.e993.com)2024年11月11日。相关阅读:1、拆解报告:OPPOFindN手机原装33W闪充充电器PISC1738CPISC1738C主控芯片为定制型号,可以理解为大功率版本的InnoSwitch3-Pro电源芯片,是一颗集成了...

分享几个常用的电平转换电路

②MOS选型Vgs(th)阈值电压。MOS管Vgs电压过高会导致MOS管烧坏,过低也会导致MOS管打不开。实际使用时为保证完全导通,设计上要多预留余量。MOS管常用2N7002,便宜可靠。小结:二极管,三极管和MOS管组成的电平转换电路,优点是价格便宜,缺点是要求使用在信号频率较低的条件下。选型时,尽量选用结电容小、开关速率高的...

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

几种常用的防反接电路

描述:采用二极管进行保护,电路简单,成本低,占用空间少,但是二极管PN结在导通时,会存在一定的压降,一般在0.5V左右(主要根据选型的二极管参数决定)2、采用NMOS防护如下图,上电瞬间,MOS管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极S的电位大约是0.7V,而栅极G的电位为Vbat,MOS管的开启电压极为:Ugs=Vbat-Vs,栅极表现为高...

MOS管在户用储能上的应用

四、MOS管选型推荐上图中的MPPT控制,一般是通过DC/DC变换电路来完成的,MPPT控制器实时检测太阳能面板的发电电压,并跟踪最高电压和电流值(VI),使系统能够以最大输出功率对电池进行充电。应用于太阳能发电系统,协调太阳能电池板、蓄电池、负载的工作,是太阳能发电系统的大脑。为了更好的提高太阳能电池板的充电转换...