碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的IGBT。2、IGBT额定电流的选择以30kW变频器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间...
高功率电源芯片选型难?不如看看这篇PI拆解案例汇总
PISC1738C主控芯片为定制型号,可以理解为大功率版本的InnoSwitch3-Pro电源芯片,是一颗集成了高压开关、同步整流和FluxLink反馈功能的数控恒压/恒流离线反激式准谐振开关IC,适合应用于高效率USBPD3.0+PPS/QC适配器。相关阅读:1、拆解报告:OPPO50WSUPERVOOC超级闪充充电器2、拆解报告:RAVPOWER1A1C30W...
光耦选型:高速风筒(电吹风)使用光耦型号推荐
高速风筒使用光耦型号推荐——可控硅光耦KLM305XKLM305X系列由苏州晶台光电有限公司开发的SOP4随机相位双向可控硅光电耦合器,它由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成,被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关,以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感应负载。可控硅光...
光耦选型:灯光控制领域使用光耦型号推荐——KLM306X
灯光控制领域使用光耦型号推荐——可控硅光耦KLM306XKLM306X是苏州晶台光电有限公司开发的可控硅光耦系列,由一个砷化镓红外发射二极管和一个单晶硅芯片的过零光电双向晶闸管组成,属于零交叉双向可控硅驱动器光耦。它被设计用于与分立功率双向可控硅开关配合使用,将逻辑系统连接到由110至240VAC线路供电的设备,如...
快充设计选型难?不如看看这些杰华特历年拆解案例
杰华特JW1565J是一颗氮化镓合封芯片,这款合封芯片将高频氮化镓直驱控制器,氮化镓功率管合封在一个封装内部,减小寄生参数对高频开关的影响,JW1565J内部集成高压启动和X电容放电功能,芯片内部集成700V耐压,165mΩ氮化镓开关管。杰华特JW1565J具备宽供电电压范围,采用QR工作模式提升能效,芯片具备可选的过电流和过功率保护...
在开关电源中光耦有哪些作用
光耦是一种将输入电路和输出电路通过光学隔离的器件,它由一个发光二极管(LED)和一个光敏晶体管(Phototransistor)组成;具有信号单向传输性,从而实现输入端与输出端的电气隔离,即:输出信号对输入端无影响,具有抗干扰能力强、工作特性稳定、高可靠性、传输效率高等优点,通常被应用与开关电源控制回路中(www.e993.com)2024年7月31日。
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
确定过压检测电路相应基准电平,选择低于电源最低工作电压范围的基准电压,作为比较器的比较基准,由于电源的最低工作电压为12V,可选择10V的齐纳二极管Z1作为比较基准(Vref),尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM10,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~33mA。ZMM系列稳压管的伏安稳压特性如下图(本是...
如何计算DC-DC的电感值?实际案例+8个步骤+计算公式
如下图是在降压型DC-DC中,当开关器件Q1导通时,电流从Vin通过电感L给输出平滑电容Cout充电,并提供输出电流Iout。此时电感L上流过的电流会产生磁场,以此将电能变换成磁能并储存起来。Q1导通时的电流环路当开关器件Q1关断时,续流二极管Q2导通,电感L里储存的能量向输出侧释放。在Q1导通阶段Cout已经储满电量,Q刚进入...
技术科普 | 汽车电机控制器详解
注:通过二极管的整流原理,制动能量回收时,将交流电转换成直流电反充至电池中。#02电机控制器的关键组件介绍作为电动汽车动力传动系统的核心组件的电机控制器,其设计和功能依赖于一系列关键组件的协同工作。以下是电机控制器中的主要组件及其功能:直流母排(busbar):直流母排是连接电池包和电机控制器的高导电性、...
这位大牛记录下了电路设计的全过程
选用的二极管反向耐压值和额定正向导通电流需满足:9.Step9:为每路输出选择合适的滤波器第n路输出电容Cout(n)的纹波电流Icaprms(n)为:选取的输出电容的纹波电流值Iripple需满足:输出电压纹波由下式决定:有时候,单个电容的高ESR,使得变换器很难达到我们想要的低纹波输出特性,此时可通过在输出端多并联几...