联想充电器AC-DC主控芯片选型变化_腾讯新闻

芯片内部集成控制器,高压MOS管,同步整流控制器和反馈电路,集成度非常高,有效简化快充电源设计。相关阅读:1、拆解报告:联想30WPD快充充电器45W功率段Lenovo联想拯救者45WUSBPD快充充电器联想拯救者电竞手机Pro专用45W充电器采用PC阻燃材质外壳,表面哑光处理具有类肤手感,使用手感好。USB-C口支持PD3.0和PPS协...

MOS管选型难?不如看看这篇永源微案例汇总

熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Coolmos),BCD5V-60V工艺,CMOS5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷...

MOS管及其外围电路设计

当mos关断时,Qoff打开,关断电流就会流经该三极管Qoff,这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近,从而有效地避免了mos的误开通。1.3驱动电阻阻值的选择根据1.1节和1.2节的分析,就可以求得mos管驱动电阻的上限值和下限值,一般来说,mos管驱动电阻的取值范围在5~100欧姆之间,那么在这个范围内如何进一步优化阻值的选...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻03最后考虑在关断后期的电压尖峰,MOSFET的雪崩...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

IGBT如何选型:1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1200V电压等级的IGBT。2、IGBT额定电流的选择以30kW变频器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要...

高功率电源芯片选型难?不如看看这篇PI拆解案例汇总

PISC1716主控芯片内置PWM控制器、高压MOS管、同步整流控制器以及隔离反馈,集成度高,无需光耦反馈,相比传统方案具有更高的集成度,简化设计与生产(www.e993.com)2024年11月11日。相关阅读:1、拆解报告:OPPOFindN手机原装33W闪充充电器PISC1738CPISC1738C主控芯片为定制型号,可以理解为大功率版本的InnoSwitch3-Pro电源芯片,是一颗集成了...

分享几个常用的电平转换电路

②MOS选型Vgs(th)阈值电压。MOS管Vgs电压过高会导致MOS管烧坏,过低也会导致MOS管打不开。实际使用时为保证完全导通,设计上要多预留余量。MOS管常用2N7002,便宜可靠。小结:二极管,三极管和MOS管组成的电平转换电路,优点是价格便宜,缺点是要求使用在信号频率较低的条件下。选型时,尽量选用结电容小、开关速率高的...

一文搞懂IGBT

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...

几种常用的防反接电路

描述:采用二极管进行保护,电路简单,成本低,占用空间少,但是二极管PN结在导通时,会存在一定的压降,一般在0.5V左右(主要根据选型的二极管参数决定)2、采用NMOS防护如下图,上电瞬间,MOS管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极S的电位大约是0.7V,而栅极G的电位为Vbat,MOS管的开启电压极为:Ugs=Vbat-Vs,栅极表现为高...

30V/60V/80V/100V/150V/200V n沟道mos管选型

200Vmos管选型:SVGP20110NS封装TO-220-3L、电压200V,导通内阻9.6mΩSVGP20110NT封装TO-220-3L,电压200V,导通内阻9.6mΩSVGP20500NL5封装PDFN-8-5*6,电压200V,导通内阻42mΩSVT20240NT封装TO-220-3L,电压200V,导通内阻19.7mΩ。在选择MOS管时,不同的应用需求千变万化,小到选N型还是P型、封装...