台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样

台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样9月5日,据台媒报道,台湾大立光电集团控股子公司台湾应用晶体(下文简称“应用晶体”)生产碳化硅(SiC),公司旗下6英寸碳化硅预计10月送样,8英寸产品最快年底送样。source:拍信网资料显示,台湾应用晶体成立于2012年3月,实收资本额为3亿元新台币(折合人民币约6600万元)。企业...

这台单晶炉让碳化硅告别“盲盒生长”

吴春生表示,公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈,让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系,大大缩短了工艺开发周期,为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实的设备基础,将有助于快速推动8英寸衬底商业化量产的进度。半导体材料设备行业技术壁垒高、研发周期长、资...

克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用

●浪涌电流此外,安森美还承诺出资800万美元,围绕宾夕法尼亚州立大学(PSU)的安森美碳化硅晶体中心(SiC3)开展战略合作。他们还与欧洲其他至少六家教育机构合作,进一步推动该技术的发展。安森美制造的优势安森美的独特之处在于,该公司为SiC器件提供了完全集成的供应链,可以全面控制从晶锭到客户的所有流程环节和相...

这台单晶炉让碳化硅告别“盲盒生长”|“沪市新质生产力巡礼”系列...

吴春生表示,公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈,让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系,大大缩短了工艺开发周期,为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实的设备基础,将有助于快速推动8英寸衬底商业化量产的进度。半导体材料设备行业技术壁垒高、研发周期长、资...

无压烧结碳化硅陶瓷耐磨内衬的耐蚀性能研究

碳化硅中的Si-C键具有极高的键能,使得碳化硅在酸、碱等腐蚀性介质中难以被侵蚀。此外,碳化硅的晶体结构也赋予了其良好的耐蚀性能。在晶体结构中,Si和C原子以共价键的形式紧密结合,形成了稳定的四面体结构,这种结构使得碳化硅在腐蚀环境中能够保持其原有的物理和化学性质。

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来

金刚石-碳化硅复合衬底:作为GaN基器件高效散热器的新策略山东大学的科研团队提出了一种新型散热策略,通过构建金刚石-碳化硅(SiC)复合基板,有效解决了氮化镓(GaN)基晶体管的自加热问题(www.e993.com)2024年11月9日。研究团队设计并实现了在4H-SiC基板上直接生长多晶金刚石,随后将SiC基板减薄至最佳厚度,以形成金刚石-SiC复合基板。通过模拟和实...

寻找大兴新质生产力|第三代半导体“小巨人”从大兴崛起

第三代半导体产业被认为是极具基础性、前瞻性和战略性的先导产业,是有望实现“换道超车”的产业突破口,行业技术门槛很高。碳化硅晶体生长面临着生长温度高(约2300℃)、温场难以控制、易产生缺陷、晶体构型多(达200多种)、易相变、边缘易自发形核、晶体扩径难等诸多困难,生长大尺寸碳化硅晶体成为重大挑战。

...应用于碳化硅、氮化硅晶体、金刚石、石英玻璃等高脆硬特殊材料...

格隆汇9月11日丨致尚科技(48.860,-5.89,-10.76%)(301486.SZ)在投资者互动平台表示,西可实业的全资子公司西可装备制造(衡阳)有限公司专注于半导体抛光设备的研发制造,成功实现了传统单面抛光设备的尺寸升级、新型双面研磨系列设备的研发及量产。西可实业的半导体抛光设备应用于碳化硅、氮化硅晶体、金刚石、石英玻璃等高脆...

晶升股份获得发明专利授权:“一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的...

测量系统包括石墨盘、电阻检测模块、计算模块和显示模块,石墨盘下方设置籽晶,碳化硅晶体生长在籽晶上,石墨盘上方设置两个导电棒,两个导电棒与石墨盘电连接,电阻检测模块用于实时检测两个导电棒之间的电阻,计算模块用于根据电阻检测模块检测的电阻计算碳化硅晶体的厚度及质量,显示模块用于实时显示计算模块得到的碳化硅晶体的...

京运通:我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体,正在进行生长工艺的优化

京运通董秘:您好。我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体,正在进行生长工艺的优化。目前尚未对外销售。感谢您的关注。投资者:针对隆基发布的泰睿系列硅片,公司的硅片是否具备竞争力?京运通董秘:您好。公司提供不同尺寸和规格的硅片以满足客户需求。感谢您的关注。