中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

基于前期的工作积累,研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计,MBE外延工艺探索及纳米线形貌调控出发,结合DFT第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂(Pt)纳米颗粒定向修饰,成功构建了基于p-AlGaN/n-GaN异质p-n结的光谱可分辨型光电探测器[NatureElectronics2021,4,645–652]。图1为器件的工作原理示意图。

MLED情报站:事关京东方晶芯、兆驰半导体、易美新创、诺瓦星云等

专利摘要显示,本发明涉及半导体材料的技术领域,公开了一种Micro??LED的外延结构及其制备方法,所述外延结构包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层,未掺杂的GaN层,N型掺杂GaN层插入层多量子阱层,电子阻挡层,P型掺杂GaN层和接触层;其中,所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN...

...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

对于典型的半导体如硅(Si)和氮化镓(GaN),正型(p型)和负型(n型)导电性是通过将电子受体和电子供体元素掺入晶体格中实现的。对于新兴的卤化物钙钛矿半导体而言,尚未发现可以在保持高光电性能的同时可靠控制电荷导电行为的机制。在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。

...教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n-p导电类型切换...

具体而言,压力下Nb原子沿b轴方向的偏心逐渐被抑制,导致NbOI2从C2相向C2/m相的转变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变(www.e993.com)2024年11月11日。更重要的是,这种可逆的导电类型切换发生在半导体-半导体相变过程中。即使导电类型发生转换后,NbOI2仍保持约1.1eV的带隙,这与先前报道的半导体材料在类似转变过程中通常出现带隙闭合的...

二极管(2)二极管的分类

半导体层(阴极):另一个端口是半导体层,也称为阴极。这个半导体层通常是n型或p型的硅(Silicon)或碳化硅(SiliconCarbide)等半导体材料。Schottky接触界面:金属层和半导体层之间形成了一个金属-半导体接触,称为Schottky接触。这个接触是非晶态或非均匀的,不像PN结二极管那样有明确定义的P型和N型区域。

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料对的计算发现,引发了人们对发现该材料家族中新的n型可掺杂成员的兴趣。然而,大多数已知的Zintls通常只有p型可掺杂的,并且之前发现n型锌相的成功在很大程度上是偶然的。于是我们决定对已知的n型可掺杂的ABXZintl相进行化学取代,从而发现新的相,我们将使用第一性原理计算来预测...

中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破

目前非晶P型半导体面临着重大挑战,严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体技术的发展。传统氧化物半导体因高局域态价带顶和自补偿效应,导致空穴传输效率极差,难以满足应用需求。科研人员因此投入大量精力开发新型非氧化物P型半导体,但目前这些新材料只能在多晶态下展现一定的P型特性。此外,这些材料...

半导体芯片,到底是如何工作的?

半导体的萌芽我们将时间继续往前拨,回到更早的18世纪。1782年,意大利著名物理学家亚历山德罗??伏特(AlessandroVolta),经过实验总结,发现固体物质大致可以分为三种:第一种,像金银铜铁等这样的金属,极易导电,称为导体;第二种,像木材、玻璃、陶瓷、云母等这样的材料,不易导电,称为绝缘体;...