天岳先进P型碳化硅衬底,高压电网的革新引擎

天岳先进布局液相法多年,目前在该领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底,电阻率小于200mΩ·cm,面内电阻率分布均匀,结晶性良好。天岳先进n型产品市占率全球第二,高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年,公司与英飞凌、博世等下游功率器件、汽车电...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

基于前期的工作积累,研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计,MBE外延工艺探索及纳米线形貌调控出发,结合DFT第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂(Pt)纳米颗粒定向修饰,成功构建了基于p-AlGaN/n-GaN异质p-n结的光谱可分辨型光电探测器[NatureElectronics2021,4,645–652]。图1为器件的工作原理示意图。

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义

新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料对的计算发现,引发了人们对发现该材料家族中新的n型可掺杂成员的兴趣。然而,大多数已知的Zintls通常只有p型可掺杂的,并且之前发现n型锌相的成功在很大程度上是偶然的。于是我们决定对已知的n型可掺杂的ABXZintl相进行化学取代,从而发现新的相,我们将使用第一性原理计算来预测...

N型晶圆和P型晶圆的意思是什么?

在半导体制造中,基于硅的晶圆(wafer)是非常关键的材料,用于构建集成电路和芯片。晶圆基材可区分为N型和P型,这两种类型主要涉及硅的掺杂方式,即向硅晶体中添加微量的其他元素来改变其电子特性。N型(Negative-type)晶圆:N型晶圆是通过将硅晶体与掺有额外自由电子的元素(通常是磷或砷)掺杂制成的。这种掺杂过程会...

反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展

近期,中国科学院半导体研究所研究员游经碧带领的团队,在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得了重要进展。该团队创新性地在透明导电衬底FTO和SAM层之间引入溶液法制备的p型氧化镍(NiOx)纳米颗粒,显著增强了SAM的自组装能力。同时,研究通过同质化NiOx纳米颗粒,实现了在均匀致密NiOx薄...

首次!有机半导体光催化掺杂

这种光催化方法具有通用性,适用于各种有机半导体,能够产生高电导率的p型、n型半导体;甚至能不消耗弱掺杂剂,仅消耗抗衡离子盐的情况下将p型半导体的电子转移至n型半导体,实现协同的p/n掺杂(www.e993.com)2024年11月11日。此外,它还能够在不负面影响半导体堆积结构的情况下,合理地选择掺杂抗衡离子。

P型半导体与N型半导体的定义及区别

-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负极。

隆基绿能豪赌BC这一年:伪命题的技术之争与不再遮掩的营销战|钛...

晶硅电池（通俗也称太阳能电池），根据硅片种类不同分为P型与N型。两种电池发电原理无本质差异，在P型半导体材料上扩散磷元素即为P型电池片；在N型半导体材料上注入硼元素即为N型电池片。P型有BSF和PERC两种电池技术，2015年之前，BSF电池占据90%市场；2016年之后，PERC电池接棒起跑，到2020年，PERC电池在全球市场...

北京大学雷霆研究员Science:半导体水凝胶!

单网络半导体水凝胶的设计与制备作者设计了一种n型水溶性半导体聚合物P(PyV),它的阳离子骨架含有氯化物反离子,没有任何侧链(图1B)。作者认为,无侧链聚合物设计可实现较高的电子性能,而离子骨架则为静电交联提供了可能性。通过密度泛函理论计算,发现苯磺酸离子与聚合物骨架的结合能优于氯离子,使热力学交换...

第三代半导体技术,迎来劲敌

化学掺杂AlN的策略近年来才开始出现,尚未完全成熟,其有效性在研究人员中是一个有争议的话题。在掺杂过程中,多余的电荷可以是电子,在这种情况下,半导体被称为“n型”,或者它们可以是缺电子,称为空穴,在这种情况下,半导体是“p型”。几乎所有商业上成功的器件都是由这种夹在一起的掺杂半导体组成。