8种开关电源MOS管的工作损耗计算
开启过程损耗,指在MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压VDS(off_on)(t)与逐渐上升的负载电流(即漏源电流)IDS(off_on)(t)交叉重叠部分造成的损耗。开启过程损耗计算:开启过程VDS(off_on)(t)与IDS(off_on)(t)交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之VDS(off_end)、开启完...
吃透MOS管,看这篇就够了
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性;上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生...
灿芯股份获得发明专利授权:“一种应用于低电源电压ADC的比较器”
证券之星消息,根据企查查数据显示灿芯股份(688691)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种应用于低电源电压ADC的比较器”,专利申请号为CN202210466493.2,授权日为2024年5月28日。专利摘要:本发明公开了一种应用于低电源电压ADC的比较器,包括第一至第二十三MOS管。其为两级结构,第一级为第一至八MOS管以及第二十三...
MOS管烧了,可能是这些原因
这种高电压上升率通过米勒电容电容耦合到MOS管的栅极,会导致底部MOS管的栅极电压上升,从而导致MOS管也开启,就会存在击穿情况,即使不是立即发生,也可以肯定MOS管故障。米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化,该驱动器在关闭状态时将栅极电压钳位到0伏,这减少了从漏极耦合的任何尖峰的影响。在关断状态下向...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。
户外露营用电如何选?四十款市售户外电源拆解汇总
充电头网通过拆解了解到,公牛这款储能电源内置6串电池,共有60颗之多,采用中颖SH367305进行保护,配置东软载波HR8P506FHNKMCU;逆变器采用了屹晶微逆变升压方案,主控芯片为屹晶微EG1611,另外采用EG2132驱动泰德MOS管升压,台半HER1008G用于逆变升压输出整流,EG8025调制输出波形(www.e993.com)2024年9月20日。
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
也可用热敏电阻法来限制冲击电流,但由于DC/DC电源的输入电压较低,输入电流较大,在热敏电阻上的功耗也较大,一般不用此方法。3.2有源冲击电流限制法3.2.1利用MOS管限制冲击电流利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在周围加上少量元器件就可以做成冲击电...
向损耗说不,倍仕达、麦多多等多家厂商均选择永源微MOS管
永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷,导阻低,应用简单的特性,满足多种电源适配器设计需求。未来永源微电子将持续紧密关注市场需求,致力于推出更多高效功率器件,涵盖更广泛的功率范围和应用场景,高效推动整体产业链发展进程,为行业带来更多创新解决方案。
超详细|开关电源电路图及原理讲解
当C6上的电压充至Z1的稳压值时Q2导通。如果C8漏电或后级电路短路现象,在起机的瞬间电流在RT1上产生的压降增大,Q1导通使Q2没有栅极电压不导通,RT1将会在很短的时间烧毁,以保护后级电路。硬件笔记本3功率变换电路1、MOS管的工作原理:目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管),是利用半导体表面的电声...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
表1.MOS管LBSS84LT1主要特性3.确定比较器基准电压确定过压检测电路相应基准电平,选择低于电源最低工作电压范围的基准电压,作为比较器的比较基准,由于电源的最低工作电压为12V,可选择10V的齐纳二极管Z1作为比较基准(Vref),尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM10,封装为SOD-80,稳定工作电流...