美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓...
目前,成熟的超高压功率器件是垂直型Si绝缘栅双极晶体管或Si晶闸管,但它们的开关频率非常低。一种解决方案是采用宽禁带半导体SiC功率器件,以大幅度提高开关频率。但是,SiC超高压器件需要特殊的厚外延工艺,且需要将外延材料的背景掺杂控制到极低的水平,这需要极高的成本。对于SiC功率器件,额外的成本还包括...
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
5.千伏级氮离子注入氧化镓垂直晶体管由于p型氧化镓的实现极具挑战,这在一定程度上限制了氧化镓增强型晶体管的实现方案。而受主掺杂可补偿氧化镓中的载流子,在氧化镓材料中实现电流阻挡层,这为实现增强型场效应晶体管提供了新的思路。氧化镓中形成电流阻挡层的主流方法包括氧气氛围高温退火、镁元素掺杂及氮元素掺杂。
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
在理想的器件中,扩散长度可以直接由掺杂浓度、基层宽度和所得放大率计算(www.e993.com)2024年9月11日。然而这里测量的放大并不代表晶体管本身的固有放大,而是代表器件作为电路的固有放大。放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,...
氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展
目前,水平和垂直结构Ga2O3晶体管器件分别实现了最高击穿电压8[11]和4kV[2],最高功率品质因子408[10]和280MW/cm2[9]。虽然Ga2O3晶体管在器件性能上已经取得良好进展,但Ga2O3材料极低的热导率和缺少有效p型掺杂技术仍然是限制其进一步发展的主要瓶颈。
85后科学家制造出世界上最薄的鳍式晶体管,突破半导体工艺
之后,韩拯与合作者湖南大学刘松教授、金属研究所孙东明教授等人,首次提出了利用二维原子晶体替代硅基场效应晶体管FinFET的fin的沟道材料,通过模板生长结合多步刻蚀的方法,制备出了目前世界上沟道宽度最小的(0.6nm)鳍式场效应晶体管(FinFET),也是目前世界上最薄的鳍式晶体管。
双极晶体管基础知识解析
双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。
分享|第一个晶体管背后的故事
双极结型晶体管使用几乎相同的原理实现放大,但具有两个半导体界面或结,而不是一个。与点接触晶体管一样,施加的电压克服势垒并使电流流动,该电流由较小的输入电流调制。特别地,半导体结被耗尽区横跨,电荷载流子在电场的影响下扩散穿过耗尽区。BJT比点接触晶体管更坚固可靠,这些特性为它的伟大做好了准备。但这...