51单片机程序存储器扩展

27C64是8KB×8位EPROM器件,有13根地址线A0～A12输入,它能区分13位二进制地址信息。这13根地址线分别与8031的P2口和P2.0～P2.4连接,当8031系统发出13位地址信息时,分别选中27C64片内8KB存储器中的各单元。数据线的连接:存储器的8位数据线D0～D7接P0口(P0.0～P0.7)。单片机规定指令码和数据都由P0口...

STM32单片机的FSMC机制FlaSh存储器扩展

②存储芯片的地址和数据引脚是否复用(MUXEN),FSMC可以直接与AD0～AD15复用的存储器相连,不需要增加外部器件;③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度;④对于NORFlash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN);⑤对于NORFlash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、...

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

??存储器容量:64K/128K/256K/512Kbit;??工作电压范围1.7V~5.5V;??工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展);??支持400KHz/1MHz/3.4MHz时钟频率;??串行接口符合I2C规范;??内置ECC纠错逻辑;??支持硬件保护功能;??总线上最多支持8颗EEPROM寻址;??输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声...

轻资产运营,储存器龙头兆易创新独特优势不可替代

一、昔日存储王者,独特优势赋予其不可替代性得益于地址线和数据线分开的结构,NORFlash芯片可以直接连在数据线上,实现任一字节的读取,即随机寻址。NORFlash传输效率很高,可执行程序在芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),应用程序可直接在Flash内运行,不必再把代码读到系统RAM中。2018年,通讯领域...

国内发展Nor Flash正当时

NORFlash即代码型闪存芯片,主要用来存储代码及少量数据。与主流的NANDFlash相比,NORFlash容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高,但是NORFlash由于其地址线和数据线分开的特性,不必再把代码读到系统RAM中,应用程序可以直接在NOR上运行(XIP,eXecuteInPlace),且NORFlash还具备更快的读取速度、更强...

量子系统,如何实现低温控制?|技术解析

1T1CDRAM是低温存储器的有力候选者,因为其技术成熟、存储容量大,而且由于电池晶体管的结漏减少,在低温下的性能有望得到改善(www.e993.com)2024年11月17日。在20世纪80年代末,IBM公司展示了低温(85K)、512Kbit和4Mb的DRAM,与室温下的DRAM相比,在速度和保持时间上都有改进。在较低温度下的高载流子迁移率导致这些DRAM在低温下的性能有明显...

沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史

72pinSIMM内存单条容量一般为512KB～2MB,而且仅要求两条同时使用,由于其与30pinSIMM内存无法兼容,因此这个时候PC业界毅然将30pinSIMM内存淘汰出局了。不同规格的EDODRAMEDODRAM(ExtendedDateOutRAM外扩充数据模式存储器)内存,这是1991年到1995年之间盛行的内存条,EDODRAM同FPMDRAM(FastPage...

沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史-泡泡网

72pinSIMM内存单条容量一般为512KB～2MB,而且仅要求两条同时使用,由于其与30pinSIMM内存无法兼容,因此这个时候PC业界毅然将30pinSIMM内存淘汰出局了。不同规格的EDODRAMEDODRAM(ExtendedDateOutRAM外扩充数据模式存储器)内存,这是1991年到1995年之间盛行的内存条,EDODRAM同FPMDRAM(FastPage...

FPGA最小系统之:最小系统电路分析

SDRAM可作为软嵌入式系统的(NIOSII)的程序运行空间,或者作为大量数据的缓冲区。SDRAM是通用的存储设备,只要容量和数据位宽相同,不同公司生产的芯片都是兼容的。一般比较常用的SDRAM包括现代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如,4M×32位的SDRAM,现代公司的芯片型号为HY57V283220,三星公司的为K4S283232,...