旺宏电子申请存储器装置及其操作方法专利,在读取操作中将对应位线...

存储器阵列包含多个串行,串行中的每一者包含多个存储器单元和至少一个补偿单元,存储器单元及至少一个补偿单元串行联耦接到多个位线中的对应位线。在读取操作中,串行中的每一者中的至少一个补偿单元具有响应于施加于至少一个补偿单元上的至少一个补偿电压的电阻,以将对应位线中的读取电流调整为电流值。电阻与耦接到...

【回暖】2024年Q2 全球PC市场回暖,预计下半年将迎来AI PC热潮

3DPCM读取和编程操作都需要开启双向阈值选通器件(OTS),芯片的疲劳次数被限制在10E6,和传统存储器DRAM的10E16存在差距。CEA-leti(法国原子能委员会)G.Navarro等人于2017年提出了器件层面的亚阈值读取技术,把存储单元读取电压设置在OTS阈值电压以下,提高了芯片寿命(G.Navarro,VLSI’17)。但亚阈值读取技术在电路...

三星取得电阻式存储器装置专利,通过补偿存储单元的电阻的变化来...

所述电阻式存储器装置包括:单元阵列,包括所述存储单元及参考单元;参考电阻电路,被配置成电连接到所述参考单元;偏移电流源电路,被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流;以及控制电路,被配置成控制所述偏移...

华为公司申请磁性存储单元的结构、制备方法和磁性随机存储器专利...

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种磁性存储单元和磁性存储器,本申请提供的磁性存储单元包括:第一磁性层;第二磁性层;第三磁性层;设置于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的隧穿层;设置于所述第二磁性层和所述第三磁性层之间的隧穿层;其中,所述第三磁性层的材料包括稀土??过渡金属的亚铁磁材料,所述第一...

圣邦股份获得发明专利授权:“用于差分型OTP存储器的读取电路”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示圣邦股份(300661)新获得一项发明专利授权,专利名为“用于差分型OTP存储器的读取电路”,专利申请号为CN202011508418.5,授权日为2024年8月30日。专利摘要:本公开涉及存储器技术领域,提供了一种用于差分型OTP存储器的读取电路,该差分型OTP存储器包括呈差分对称结构的第一存储单元和第...

...生成方法的专利,能实现NAND存储器中的CAM信息进行安全读取和存储

信息进行读取;寄存器值更新单元,该寄存器值更新单元针对所述CAM信息读取单元读取到的所述CAM信息,对与各个所述CAM信息相对应的寄存器值进行更新;CRC码生成单元,该CRC码生成单元利用由所述寄存器值更新单元更新后的所述寄存器值来生成CRC码;以及安全代码存储单元,该安全代码存储单元更新并存储由所述CRC码生成单元生成的...

台积电申请存储器单元及其制造方法专利,实现优化存储器单元结构与...

专利摘要显示,一种存储器单元,包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第二传输通过门包括第三通过门晶体管和第四通过门晶体管。读取字线在衬底的前侧上方的第一金属层上。写入字线在与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上。在写入操...

兆易创新取得非易失性存储器的数据读取装置及方法专利,可减少非易...

专利摘要显示,本发明公开了一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。该装置包括:读取比较器,用于根据接收到的读取请求,将存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,用于将存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录...

海光信息获得发明专利授权:“静态随机存储器、处理器及数据读取...

读探测电路用于:在检测到静态随机存储器从位于同一行的不同列的存储单元连续读取数据时,向读控制电路输出高电平信号;读控制电路用于在接收到读探测电路的高电平信号时,维持存储单元所在的行对应的WL驱动信号为低,以及维持m个BL充电电路处于停止充电状态,以保持位于同一行且不同列的m个存储单元各自对应的电压差不变。

中国团队存储器研究取得系列进展

3DPCM读取和编程操作都需要开启双向阈值选通器件(OTS),芯片的疲劳次数被限制在10E6,和传统存储器DRAM的10E16存在差距。CEA-leti(法国原子能委员会)G.Navarro等人于2017年提出了器件层面的亚阈值读取技术,把存储单元读取电压设置在OTS阈值电压以下,提高了芯片寿命(G.Navarro,VLSI’17)。但亚阈值读取技术在电路...