一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
刻蚀是一种重要的半导体制造工艺,其基本原理是通过化学或物理手段,将晶圆表面上的特定材料层部分性地去除,从而形成所需的器件结构或图案。刻蚀技术广泛应用于半导体工业中,包括集成电路制造、传感器制造、MEMS(微电子机械系统)制造等领域。3.1、刻蚀的概念和作用刻蚀的主要目的是在半导体器件的制造过程中,根据设计要求...
科普| 什么是光伏电池片?光伏电池片的种类有哪些?
活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。工序四:去除磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩...
MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述
这种方法可以实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择。在实际操作中,DRIE需要精确的过程控制来达到所需的刻蚀深度和侧壁质量。工程师必须考虑诸如气体流率、功率、压力和刻蚀时间等多种参数,以优化刻蚀过程。光刻(Lithography)光刻技术是MEMS制造中的核心工艺之一,用于在硅片或其他基底上...
刻蚀工艺面试小结
刻蚀工艺的基本原理:刻蚀是通过物理、化学或物理化学的方法去除材料的一部分,通常是在曝光、显影之后,将掩膜图形转移到基底材料上的过程。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀通过等离子体或离子束去除材料,而湿法刻蚀使用化学溶液进行材料的选择性去除。在半导体制造中的重要性:刻蚀工艺是集成电路制造的关键步骤之...
半导体制造技术之刻蚀工艺
W-ETCH工艺,W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
科普| 什么是TOPCon电池?一文带你全面了解!(建议收藏)
①目的:主要作用是制备PN结,由于硼在硅中的固溶度低,因此需要高温和更长的时间进行扩散(www.e993.com)2024年10月19日。同时,扩散源的选择对生产过程也会有影响,氯化物腐蚀性较强,溴化物黏性大,清洗过程繁琐、增加运维费用。扩散工艺示意图硼扩散通常在较高的温度下完成-超出1000℃,并且和磷扩散所需的102min的循环周期相比,硼扩散的循环...
集成电路刻蚀(etch)工艺开发学习笔记
一、刻蚀工艺的基本原理刻蚀工艺是通过化学反应和物理反应去除材料的一种技术,通常用于半导体制造中的图案转移。刻蚀工艺主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。1.干法刻蚀干法刻蚀通常在真空环境中进行,利用等离子体产生的活性离子和中性粒子进行刻蚀。常见的干法刻蚀技术包括反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积...
第10期特种气体研修班报名开始!
课程目的:本课程通过对半导体基础结构和工艺整合(扩散、光刻、等离子刻蚀、离子注入、薄膜、CMP以及湿法工艺),讲授特种气体在集成电路制造中的作用以和原理,让学员知其然更知其所以然。内容还包括半导体先进工艺、FPD和第三代半导体等内容。课程2:电子特气安全管理课程目的:本课程包括特种气体物化特性、材料兼容性...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
图3:中国充电基础设施保有量资料来源:EVCIPA、招商银行研究院图4:2015-2023年中国车桩比数据资料来源:EVCIPA、招商银行研究院充电换电并驾齐驱,但补能基础设施仍然存在明显不足。为解决新能源汽车面临的补能问题,政府同步出台相应政策将地方财政购置补贴转向支持充电基础设施建设和运营。充电设施方面,截至2023年...
综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
像元台面刻蚀与侧壁钝化是超晶格焦平面制备研究的一个重要内容。在台面侧壁,由于半导体周期性晶格结构的突然中断,会引起能带在表面的弯曲,从而使得接近表面的半导体层内形成电荷累积,甚至引起表面反型,这会导致在表面形成导电通道。另外,在刻蚀等工艺过程中产生的损伤、沾污或者氧化物等也可能引起表面势能的变化,在带隙...