光刻胶:半导体技术壁垒最高的材料之一

在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。光刻胶分类根据化学反应机理和显影原理的不同...

涨停雷达:光刻胶+臭氧设备+节能环保 国林科技触及涨停

异动原因揭秘:1、23年9月14日互动易回复:子公司国林半导体臭氧设备产品从2022年下半年开始进行市场导入,2023年以来陆续在半导体、面板、科研等行业领域出货验证,该产品用于化学气相沉积(CVD)、原子层薄膜沉积(ALD)、晶圆清洗、污染物及光刻胶去除等工艺中。2、公司具有PSA、VPSA制氢技术和产品的储备。23年2月9日互...

【开源北交所】光刻胶+原材料壁垒突破,“专精特新”企业助力国产...

光刻胶主要用于微电子领域的精细线路图形加工,是微制造领域最为关键的材料之一,自1959年被发明以来,光刻胶就成为半导体工业的核心工艺材料,随后被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为PCB生产的重要材料;二十世纪九十年代,光刻胶又被运用到LCD器件的加工制作,对LCD面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动...

全球90%光刻胶是日本生产,为何无一国打破?若卡脖子该如何?

下一步就是刻蚀，将已经有电路图形的光刻胶转移到硅片上就大功告成了，所以光刻胶在此过程的作用是防腐蚀以及保护图形！简而言之，光刻就是先把掩膜版上的电路图形转移到光刻胶上，再把光刻胶上的图形转给硅片，光刻胶就是一个中间商加保镖的角色！光刻胶主要分为负性胶和正性胶，前者对某些溶剂是可溶解的...

...彭孝军、陈鹏忠团队:负性双烷基配位锡氧团簇极紫外(EUV)光刻胶...

考虑到某些元素（如Sn、Zn、Hf）对EUV光的强烈共振，在传统的有机光刻胶配方中加入这些无机成分是一种开发新型EUV光刻胶材料的理想策略之一。锡氧团簇（TOC）由锡氧内核和表面有机配体组成，可通过烷基锡前体的水解和缩合反应实现原子尺度精确的可控合成，材料尺寸小，图案化能力和抗刻蚀能力优异，具有极大的商业化...

极端制造 | 近零粘附使能的无损晶圆级光刻胶转印技术

图2基于OTS表面改性实现近零粘附和无损转印的机制(www.e993.com)2024年11月26日。(a)临界表面能区间修饰机理示意图;(b)不同修饰状态下的XPS测试结果;(c)不同修饰状态下水接触角测量结果;(d)不同修饰状态下剥离力测试结果;(e)有限元模拟确定临界表面能区间。作者为了证明这种基于光刻胶的nTP技术有能力在任意受体衬底表面上实现2D/3D功能纳米...

上海市科学技术委员会

方向3:极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究研究目标:阐明化学放大型极紫外光刻胶二次电子诱导光酸—2—产生过程的关键影响因素和机制,设计在分辨率20nm,线宽粗糙度2nm条件下灵敏度优于20mJ/cm2的光刻胶配方.研究内容:研究高能光子激发二次电子诱导光产酸基团(PAG)反应出酸过程中的气体副产物,测量不同...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来 | 科技导报

接触式光刻机是第1代光刻机,其工作原理是将掩模(mask)和光刻胶(photoresist)直接接触,通过紫外线曝光、显影等步骤,将掩模上的图案转移至光刻胶上,形成所需的图案结构。需要注意的是,接触式光刻机的分辨率受到掩模和光刻胶接触力的限制,而且在多次使用中,掩模和光刻胶的磨损会影响其精度和稳定性。因此,现代已经...

全球芯片关键技术研究最新进展

通过构建光酸催化的酸解反应,光刻胶的灵敏度可以实现数量级的提升,弥补了光刻机光源功率下降引发的效率问题。而碳酸酯和缩醛基团是传统化学放大光刻胶中重要的酸敏结构单元,但由于过低的酸解活化能,此类光刻胶在光刻过程中易发生自显影现象,产生的挥发性物质极易污染光刻机镜头。同时,传统化学放大光刻胶使用四...

强强联合!东南大学顾忠泽教授团队/南京大学谢劲教授团队合作最新...

挤出打印的分辨率较低,光打印则因PEDOT的光吸收特性阻碍光敏剂激活而受限。另一种方法是先打印3D水凝胶结构,再将PEDOT注入,但因其扩散能力受限而不可控。此外,“混合和印刷”方法无法在固化光刻胶中制造独立的3D导电通路。本文的方法通过直接使用EDOT单体,克服了这些问题,确保结构完整性,并采用双光子光引发剂实现超高...