大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布

得到含有非晶氮化镓薄膜的衬底;对含有非晶氮化镓薄膜的衬底进行热退火,使非晶氮化镓薄膜转变为多晶氮化镓薄膜,得到含有多晶氮化镓薄膜的衬底;对含有多晶氮化镓薄膜的衬底进行湿法腐蚀,在非晶氮化镓薄膜的表面形成多孔结构,得到具有多孔结构的衬底;对具有多孔结构的衬底涂覆光刻胶后进行图案化光刻,得到具有叉指电极图形...

年复增长率超16%!这一行业如何推动精密加工技术发展?

超疏气性和超亲气性特性则适合在水下环境中应用,能够减少表面阻力,提升浮力和防腐蚀性能,这在海洋工程和潜水装备中具有重要意义。在环境保护和资源分离领域,飞秒激光改性材料可以应用于油水分离、水气分离等工艺,助力高效的环保处理。此外,超滑表面特性能够显著降低液体流动阻力,可应用于微流体设备和液滴操控中,优化...

联想2024款C140氮化镓充电头:140W疾速快充,拯救者游戏本绝配!

除了强大的性能和出色的安全性外，这款联想2024款C140氮化镓充电头在细节方面也做得非常到位。它的接口部分采用了耐磨、耐腐蚀的材质，即使长时间使用也不易损坏。同时，它还支持智能识别设备功能，能够自动匹配最适合的充电功率，让您的设备在充电时更加高效、稳定。总的来说，联想2024款C140氮化镓充电头是一款集性能...

拆62款百瓦快充数据线,就为看有哪些E-Marker芯片

小米65W氮化镓充电器原装100WCC快充数据线小米65W氮化镓充电器原装CC数据线长106cm,线身光滑无毛刺,整体结实耐用。经过充电头网实际测试,显示该线缆带有E-Marker芯片,电力传输能力为20V/5A,数据传输能力为USB2.0。内置E-Marker芯片CPS易冲半导体CPS8820E-Marker芯片丝印AWKx,实际为CPS易冲半导体的CPS8820。小...

江苏省科学技术厅 江苏省财政厅

建立碳捕集与转化膜中的限域传质模型,构建面向碳捕集与利用的限域传质膜材料的设计制备理论框架,膜材料—27—限域传质通道的形成机理及调变规律;构建CO2高效资源化利用催化体系,开发将CO2高效催化转化为甲醇,CO及低碳烃等大宗化学品的催化剂设计路线;开展基于先进分离和催化技术的低碳流程再造技术的研究...

支持联想125W私有快充,Moto 125W氮化镓快充标配数据线拆解

前言充电头网拿到了联想旗下Moto品牌的125W氮化镓充电器套装中的6AUSB-C数据线，这款数据线采用黑色TPE阻燃材质外皮，线缆长度为1米，支持USB2.0数据传输(www.e993.com)2024年11月19日。线缆内置屏蔽网和铝箔屏蔽，数据传输更加稳定。USB-C插头采用不锈钢材质，喷砂镀镍工艺，美观抗腐蚀。这款数据线不仅支持联想私有6A大电流快充，还向下支持5A...

简单高效的必易微氮化镓芯片,应用案例案例汇总

氮化镓是国内常说的第三代半导体材料的一种,由氮和镓两种离子组成的一种半导体材料,它具有能量带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)和抗辐照能力强等性质,GaN在高温下依然能够表现出优异的开关性能,这保证了GaN功率器件在不同温度、电流以及开关速度下均能保持极小的开关损耗。本质是将...

功率密度2.34W/CC,12A大电流快充:真我240W双氮化镓迷你充电器正式...

240W不仅有20V电压,还有12A的电流,为了进一步保证手机接口端的安全和稳定,减少线材的接触阻抗,USB-C口采用了双层铂金电泳设计,有效应对高压负载带来的腐蚀,还能有效控制手汗、雨水的侵蚀。最关键的充电器方面,此次真我首发了一枚240W功率的双氮化镓充电器,内部采用双氮化镓MOS管设计,在保持小体积的前提下,功率提升60%,...

小米发布氮化镓充电器 第三代半导体显山露水

氮化镓是第三代半导体材料(即化合物半导体)的典型代表。相较于第一代半导体材料硅、锗,第二代半导体材料砷化镓、磷化铟等,第三代半导体材料(包括氮化镓、碳化硅、氧化锌等)能够承受更高的电压、适合更高频率,可实现更高的功率密度,并具有耐高温、耐腐蚀、抗辐射、禁带宽度大等特性,在高频、高功率的电力电子、微波射...

创业板新妖长方集团十天股价翻倍 贴上氮化镓+跨境电商两热门概念

长方集团董事长王敏博士团队研发的第三代半导体“硅衬底高光效氮化镓GaN基蓝色发光二极管”项目曾获国家技术发明奖一等奖。国联证券顾玮玮认为,第三代半导体材料以其大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优点,受益汽车电子、射频的应用将快速增长。