"存储芯片"唯一黑马,芯片模组国内第一,背靠华为,320家机构抄底!
该芯片采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达64Gb,最高IO速度达到3200MT/s。NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度提升10倍以上,寿命增加5倍。存储芯片料盘分盘结构专利深圳市陆和神州科技有限公司取得了一项名为“一种储存芯片料盘的分盘结构”的专利。该专利通过设置夹持...
“存储芯片”独角兽,华为重仓 1155 万股,多家机构扎堆,即将成妖!
存储芯片利用电子器件的物理性质(如电容、电阻、磁阻等)来实现数字信号的存储。易失性存储芯片断电后会丢失存储的数据,主要用于临时存储数据,如运行中的程序和处理器的缓存。常见的类型包括RAM(随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。其中,DRAM需要定期刷新电子信息以维持存储的...
智能汽车,得一微的数据存储之道
在分层存储之上的分区存储,主要是使用ZNS、FDP技术,使车用存储芯片和Host主机在数据放置上协作,按数据类型选择存放位置,对齐数据与物理介质,提升性能,延长寿命,降低写放大与冲突,实现I/O隔离。车载数据库存储方案在AI快速发展的浪潮下,数据库存储方案在车端AI应用的前景愈发广阔,覆盖智驾端到端AI大模型、智能语音...
HBM4商用提速,存储三巨头各揣杀手锏
相较现有键合工艺,混合键合无需在DRAM内存层间添加凸块,而是将上下两层直接铜对铜连接,可显著提高信号传输速率,更适合AI计算对高带宽的需求,还可降低DRAM层间距,减少HBM模块整体高度。面对两大韩国厂商的强势出击,身为美国唯一存储芯片大厂的美光虽然目前的市场占比并不高,却放出豪言,预计2025年,其HBM市占率将与...
新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...
可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...
国产最大容量新型存储器芯片问世,有望打破国际巨头长期垄断
据了解,该芯片采用创新的三维堆叠技术,基于新型材料电阻变化的原理,利用先进工艺制程,在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件,实现了存储架构上的重大突破(www.e993.com)2024年10月20日。这一芯片做成的固态硬盘,可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案。
新存科技发布国内最大 64Gb 单芯片容量 3D 新型存储器芯片 NM101
NM101基于新型材料电阻变化原理,采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件,单芯片容量达64Gb。新存科技NM1013D存储器芯片支持随机读写,较市面已有大容量非易失性产品读写均提速10倍以上的同时寿命也增加了5倍,能大幅提升系统解决方案的性能。
“存储芯片”唯一黑马,国内芯片模组市占率第一,背靠华为!
新存科技发布了自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。该芯片采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达64Gb,最高IO速度达到3200MT/s。NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度提升10倍以上,寿命增加5倍。存储芯片料盘分盘结构专利...
打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒
该芯片采用了创新的三维堆叠技术,基于新型材料电阻变化原理,通过先进工艺制程,在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件,实现了存储架构的重大突破。这一成果将为数据中心、云计算等领域提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案。华中科技大学集成电路学院院长缪向水认为,“NM101”芯片的推出,显...
三星计划在2024年推出3DHBM芯片封装服务!
2023年,三星电子曾表示将推出能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需的存储器及处理器的先进3D芯片封装技术。据《韩国经济日报》报道,今年6月在美国SanJose举行的“三星代工论坛”上,三星公开表示将在年内为HBM提供3D封装服务。目前,HBM芯片主要采用2.5D技术封装。据业界和三星电子有关人士透露,三星的3D芯片封装技术...