中国科大首次演示多模式量子中继并实现两个固态存储器的量子纠缠

其基本思路是把长程纠缠传输的任务分解为多段短距离的基本链路,在基本链路上建立量子存储器之间的可预报纠缠,然后利用纠缠交换技术把量子纠缠扩展至目标距离。国际上已有的量子中继基本链路均基于发射型量子存储器构建,其纠缠光子是由存储器本身发射出来的。这种架构难以同时支持确定性光子发射和多模式复用存储,从根本上...

【中安在线】中国科大实现了多模量子态的长时间存储

在本工作中,团队通过操控极化磁场压制空间模式的横向消相干、并通过制备磁不敏感态进一步延长存储时间(如图1所示)。团队将带有时序控制的反向泵浦光的热原子池作为窄带滤波器,实现了对单光子量级信号光的滤波和探测。该工作以两个三维轨道角动量叠加态(如图2所示)为例开展长时间存储研究,实验发现经过400μs的存储时...

复旦大学教授发现超快电荷存储原理,助力统一存储器发展

近日,复旦大学微电子学院周鹏教授团队针对主流电荷存储器技术,发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应用于硅材料的器件模型,实现了匹敌易失内存技术的超快速度,为统一存储器的发展提供了光明技术途径。据悉,复旦大学微电子学院周鹏教授团队首次发现了双三角隧穿势垒超快电荷存储机理,突破了传统经验束缚,获得了内...

科学家成功操控磁斯格明子产生与湮灭,可用于制备赛道存储器和逻辑...

第一个应用是赛道存储器。通过精确控制磁斯格明子的产生和湮灭,可以设计出具有极高存储密度的赛道存储器。这种存储器利用磁斯格明子的拓扑稳定性来实现信息的长期存储,同时利用磁斯格明子的可移动性来实现信息的快速读写。这将极大地提高信息存储的密度和速度,为未来的数据存储提供新的方案。第二个应用是逻辑门器件。

国芯思辰|兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器SF25C20可用于医疗器械

SF25C20的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,EEPROM则是利用电荷来保存数据。由于保存数据的原理不同,FRAM比EEPROM更加适合应用于医疗医药行业。比如伽马线和电子线灭菌易使EEPROM保存的数据丢失,而使用了FRAM标签的医疗设备、包装材料可以直接进行灭菌,标签内的数据并不会消失。

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

针对上述问题，中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学相关团队从铁电疲劳产生的微观原理入手，利用二维滑移铁电结构的独特性，创制了一种无疲劳铁电材料(www.e993.com)2024年11月18日。这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制，大大增加耐久性，从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子...

新书上架《半导体存储器件与电路》

第2章静态随机存取存储器(SRAM)2.16TSRAM单元操作2.1.1SRAM阵列和6T单元2.1.2保持、读取和写入的原理2.2SRAM稳定性分析2.2.1静态噪声容限2.2.2N曲线2.2.3动态噪声容限2.2.4读与写的辅助方案2.3SRAM的漏电流2.3.1晶体管的亚阈值电流...

聊聊NAND Flash的原理、结构、工艺挑战、应用及未来发展

1.NANDFlash的基本原理和结构NANDFlash是什么?NANDFlash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同,NANDFlash在断电后仍能保存数据。它通过电荷的存储与释放来实现数据的存储。图:NANDFlash的排列结构基本单元结构:NANDFlash的基本存储单元是一个浮栅晶体管(FloatingGat...

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。

汽车存储产业研究:Transformer时代,存储成本将飞速增长

1.1存储芯片分类1.1.1存储设备分为三大类1.1.2存储芯片(半导体存储)分类1.1.3不同存储器在计算单元中使用位置1.1.4类型1:易失性存储(RAM)1.1.5类型2:非易性存储器(ROM)1.1.6类型2:非易性存储器(ROM):FLASHMemory分类1.2存储芯片行业发展现状...