光刻胶:半导体技术壁垒最高的材料之一

在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。光刻胶分类根据化学反应机理和显影原理的不同...

光谷攻克芯片光刻胶关键技术

该公司科研人员介绍,光刻胶是一种感光材料,用于芯片制造的光刻环节,工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时,会在晶圆上涂上光刻胶,在掩膜版上绘制好电路图。当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光,经过一系列处理后,晶圆上就会得到所需的电路图。由于光刻胶是芯片制造的关键材料,国外企业对其原料和配方...

芯片内部为什么能这么小?100多亿个晶体管是怎么装进去的?

光通过带有电路图案的挡光板(掩模版),可以复制掩模版的图案信息,最后和硅晶圆表面上均匀覆盖的光刻胶相互作用后,硅晶圆上出现了我们需要的图案信息。光刻成像曝光过程|图源Searchmedia-WikimediaCommons光刻胶是光刻成像的主要承载介质,分为正胶和负胶,曝光区域更容易在显影液中溶解的为正性光刻胶,曝光区域...

MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述

光刻(Lithography)光刻技术是MEMS制造中的核心工艺之一,用于在硅片或其他基底上形成微细图案。这一过程涉及将一层光敏材料(光刻胶)涂覆在基底上,然后通过遮罩板暴露于特定波长的光下。未被光照到的部分将保持不变,而被光照到的部分在后续的显影过程中会被溶解,从而形成所需的图案。光刻的精度直接影响到MEMS设备...

半导体自主可控:半导体制造材料国产化情况梳理

光刻技术是指利用光化学原理和刻蚀方法,将图形传递到介质层上,形成功能图形的工艺技术。光刻胶是一种图形转移介质,其通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用,将掩模版上的图形转移到基底上。根据应用领域不同,光刻胶为PCB、LCD、半导体光刻胶,技术门槛逐渐递增。

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

光刻是指在特定波长光线的作用下,将设计在掩膜版上的集成电路图形转移到硅片表面的光刻胶上的技术工艺(www.e993.com)2024年11月22日。通俗来讲,它采用类似照片冲印的技术,将电路图形转移到硅片或介质层上,以实现电路图形的刻画和复制。光刻机的工作原理是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光刻蚀剂为中间(图像记录)媒介实现...

光刻技术的过去、现在与未来

2.光刻技术的关键原理与工作流程2.1光刻机的基本组成与功能光刻机是光刻技术中至关重要的设备,其主要组成包括光源、掩模、镜头系统、投影台和控制系统。光源通常是紫外线灯或激光器,用于产生高能光束。掩模(或称掩膜)是带有所需图案的透明介质,通过光源投射到目标表面。镜头系统负责将图案投射到光刻胶涂覆的...

集成光子封装的双光子3d打印技术,打印微透镜耦合和光子引线键合

工作原理和打印系统TPL是一种3D打印技术，它利用聚焦的激光束选择性地固化液态光敏聚合物。聚焦的激光引起光刻胶的双光子聚合（TPP），从而形成固体结构。与单光子光刻不同，当激光焦点处的激光强度超过某个阈值时，就会发生TPP。因此，TPL能够实现更可控和更本地化的聚合过程，从而实现更精细的分辨率和更高的...

【易起解惑】什么是光刻机:决定芯片生产精度的核心设备

光刻机是制造半导体芯片的关键设备之一。它的主要工作原理是将设计好的电路图通过一系列光刻工艺转移到半导体材料上。具体来说,光刻机的工作过程可以分为以下几个步骤:1.首先,在半导体晶圆表面涂上一层光刻胶,这是一种对光敏感的材料。2.然后,将设计好的电路图通过光刻掩模(类似透明胶片)投射到涂有光刻胶...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来 | 科技导报

接触式光刻机是第1代光刻机,其工作原理是将掩模(mask)和光刻胶(photoresist)直接接触,通过紫外线曝光、显影等步骤,将掩模上的图案转移至光刻胶上,形成所需的图案结构。需要注意的是,接触式光刻机的分辨率受到掩模和光刻胶接触力的限制,而且在多次使用中,掩模和光刻胶的磨损会影响其精度和稳定性。因此,现代已经...