2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国北卡罗来纳州立大学担任教授。公报说,这一奖项颁...
Colpitts振荡器原理分析,图文+案例
由一个具有共发射极配置晶体管的RC耦合放大器组成,耦合电容通过提供从集电极到储能电路的交流路径来阻断直流。每当接通电源时,上述电路中所示的电容C1和C2开始充电,当电容充满电后,电容器开始通过电路中的电感L1放电,从而在谐振电路中引起阻尼谐波振荡。因此,振荡电路中的振荡电流在C1和C2两端产生...
为什么D类放大器需要反并联二极管
由于双极结型晶体管不能传导反向电流,我们通常使用反并联二极管为负电流提供通路。这在图7中进行了说明。一种互补电压开关D类放大器,增加了反向并联二极管以传导负电流。图7.带有反向并联二极管的互补电压开关D类放大器,用于传导负电流。图片由SteveArar提供二极管D1和D2充当开关,在需要时自动打开,仔细想想,这...
基于运算放大器和晶体管的模拟方波发生器设计
非稳态多谐振荡器也可以用分立晶体管代替运算放大器制成。图3中显示了使用双极结型晶体管(BJT)的示例。用于方波产生的基于BJT的非稳态多谐振荡器。图3。用于方波产生的基于BJT的非稳态多谐振荡器。当这个电路启动时,一个晶体管,假设Q2,将进入“截止”区域,在那里它不导电。这将导致集电极节点(Q2顶部)充电至...
瞭望|“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。此外,决策系统硬件层...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
下图显示了标准TTL与非门的内部结构和特性(www.e993.com)2024年9月11日。它的与非门是四路二输入型。有四个5400/740电路。简单来说,这种类型的TTL电路的工作原理如下。标准TTL与非门图中所示的Q1是一个双发射极NPN晶体管,这种类型的与非门类似于两个晶体管,它们的基极和发射极端子连接在一起。命名为D2和D3的二极管用于限制本质...
双极型晶体管BJT应用需求增长 高性能产品市场占比不断提升
双极型晶体管(BJT)全称为双极性结型晶体管,指由两个PN结构成,可引出三个电极的晶体管。双极型晶体管具有耐久力好、功率控制能力强、工作效率高、灵敏度高等优势,在通信系统、汽车电子、家用电器、医疗器械、航空航天等领域拥有广阔应用前景。按照结构特点不同,双极型晶体管可分为NPN型和PNP型两种类型。
格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”
该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极结构靠近...
投资者提问:董秘你好,请问公司IGBT(绝缘栅双极晶体管)单个价值...
董秘你好,请问公司IGBT(绝缘栅双极晶体管)单个价值大概是多少?根据相关信息IGBT2025年市场规模大约80亿美元左右,新能源汽车约占比42%,请问公司IGBT产品目前在新能源车市场占比大约是多少?董秘回答(顺络电子(25.060,0.05,0.20%)SZ002138):尊敬的投资者,您好!
整理分类:晶体管的类型分析
光电晶体管是由三端器件(如双极晶体管或场效应晶体管)组成的光电元件。光在其活性区域被吸收,产生光生载流子。通过内部电放大机制,产生光电流增益。光电晶体管在三个端子上工作。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常...