晶体三极管的工作原理和主要参数
晶体三极管的工作原理基于半导体材料的特性,它的核心是PN结。PN结是由掺杂不同的P型半导体和N型半导体构成的结构,它具有单向导电性,即只能让电流在一个方向通过。晶体三极管由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个PN结称为集电结,而在两个PN结之间的区域称为基区。当在晶体三极管的基区加上一个电压时,...
隆基绿能申请太阳能电池专利,优化电极与掺杂层的设计提升效能
在所述第一表面上依次层叠有第一掺杂层和第一电极,所述第一掺杂层包括紧邻的第一晶体掺杂区和第一非晶掺杂区;在所述硅基底的第二表面上依次层叠有第二掺杂层和第二电极,所述第二掺杂层包括紧邻的第二晶体掺杂区和第二非晶掺杂区;所述第一电极在所述硅基底上的投影与所述第一晶体掺杂区在所述硅基底...
发光学报|稀土掺杂无序结构晶体的局域位置对称性与发光调控
因此,迫切需要对稀土掺杂的无序结构晶体的局域电子结构、局域位置对称性和激发态动力学进行更深入的研究,相关研究结果也可为优化稀土掺杂的无序结构晶体的发光性能提供有益的指导。最后,在组分调节方面,可选择具有光学活性的主族或过渡金属离子(如Bi????、Sb????、Te????、Mn????等)进行共掺杂或引入结...
...储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
Nature|中大科研新突破!“编织”一张好用的晶体分离膜
对各种材料来说,机械强度和韧性往往互相矛盾,难以兼得,对于晶体当然亦是如此。在钢铁冶炼中,人们通过引入新的物质——碳,来改变材料结构,调控材料的物理性质,调制出强度和韧性均合适的材料。但在晶体的制备中,“掺杂”难以做到,因为结晶就是排异的过程。
德国研究人员开发可印刷生产的无掺杂场效应晶体管
德国奈米电子材料实验室(NanoelectronicMaterialsLaboratory,NamLab)的研究人员,宣布制作出一种无掺杂物(withoutdopants)的电子组件;这种组件藉由电场取得了开关特性,且由于具备高电子迁移率,将可适用于印刷电子(www.e993.com)2024年7月14日。到目前为止,印刷电子(或称有机电子)技术的最大问题在于无法支持比RFID标签更复杂的应用,主要原因是印刷电...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
由于延伸区域的掺杂是局部性的,因此通道可以保持未掺杂的状态,这也是N型和P型器件均能兼容互补金属氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetalOxideSemiconductor)阈值电压的关键所在。此外,量化场效应晶体管通道中的载流子密度和迁移率,对于理解和优化器件的性能指标也是至关重要。然而,由于此前的器件结构普遍...
我国科学家发现古代高温釉中一种亚稳态晶体的合成方法
科研人员结合多种纳米材料表征方法,外加理论计算,分析研究了宋代建窑出产的兔毫茶盏制作工艺。研究发现,宋代人在高温釉制作过程中加入高铝黏土原料,使得铝进入到ε-Fe2O3晶格中,有效地增加了这种亚稳态晶体的稳定性。通过对铝掺杂现象的解析,科研人员还原了古人的烧制工艺,并且找到了ε-Fe2O3晶体的合成方法。
...及其制备方法专利,该专利技术能实现制备出击穿电压不同的晶体管
专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,所述结构包括:衬底;凸出于所述衬底的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管至少包括从下至上分布的第一掺杂区和第二掺杂区;所述第二晶体管至少包括从下至上分布的第三掺杂区和第四掺杂区;其中,所述第一掺杂区和所述第三掺杂区具有第一...
中美俄证实常温超导晶体?
就是这样具有颠覆意义的超导材料,在韩国团队的论文里,它的制成堪比古代炼金术——把多种含铅、铜和磷的材料经过一定组合后分别混合加热,最终得到一种掺杂铜的铅-磷灰石晶体。也正是因为条件如此简单,全球出现了一股“复现LK-99”的验证潮。在中国,先是从各种社交平台的“复现实验”,例如,7月26日,知乎@半导体...