SK海力士量产全球首款321层堆叠3D闪存,Win 11 LTSC推热补丁功能

SK海力士的321层堆叠使用3堆栈技术来实现，为此SK海力士开发了一种低应力材料，并引入自动对准提高良率。与上代产品相比，321层堆叠新一代3DTLC闪存的数据传输速度提高了12%，读取性能提升13%，读取能耗表现优化10%以上。SK海力士计划将它优先用于需要低功耗和高性能的新兴AI应用，并稳步扩大其使用范围。Win11LTSC...

321层!SK海力士宣布量产全球最高层数NAND闪存

据SK海力士官网信息，在开发321层NAND闪存过程中采用高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。“该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将三个通孔进行电气连接”，同时，SK海力士还“开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术”。同时，321层NAND依然使用上一代238层NA...

闪存突破300层!

该技术分三次进行通孔工艺,随后经过优化的后续工程,将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形的材料,并引进了通孔间自动排列(alignment)矫正技术。另外,技术团队也将上一代238层堆叠NANDFlash闪存的开发平台,应用于321层堆叠的产品上,由此最大限度地减少了制程的变化。与上一代产品相比,其生产效率提升...

三星发布第二代32层3D立体堆叠闪存

今天,三星又公布了第二代,堆叠的闪存竟然达到了32层,比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时,三星还推出了一系列基于这种新闪存的固态硬盘,容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同规格,应用市场也从数据中心拓展到了高端PC。三星称,相比于普通的2D平面闪存,新的3D立体闪存写入寿命可以延长大约一倍,功耗降低...

三星将推100层以上堆叠的1TB级闪存

东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。据韩国媒体报道,基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市,但具体产品不详——860EVO?

三星宣布量产最牛3D闪存:MLC颗粒好评

据悉,在新一代V-NAND闪存中,每个单元都采用相同的3DChargeTrapFlash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连(www.e993.com)2024年11月25日。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共能存储2,560亿位的数据,换句话说,就是一个不超过手指尖大小的...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

在传统的NAND闪存芯片中，存储单元堆叠在外围电路上方，外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时，堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题，三星正在开发第10代V-NAND技术，打算使用一种创新的键合技术，将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后再结合在一起。这种方法有望解决存储容量提升及散热效率...

采用321层堆叠技术,海力士展示UFS 4.1闪存

日前,在全球存储会议FMS2024峰会上,海力士展示了旗下的UFS4.1闪存产品,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪存。据了解,UFS是UniversalFlashStorage(通用闪存存储)的缩写,代表一种广泛用于移动计算平台(手机、平板等)高性能接口。目前,UFS的最新版本为UFS4.0,其发布于2022年,拥有高达46....

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:目标2027年实现1000层堆叠

进入2024年后,存储芯片价格的上涨势头持续,铠侠(Kioxia)选择结束了自2022年10月起开始施行的NAND闪存减产策略,将生产线的开工率重新提升至100%。与此同时,铠侠也在推进其技术开发计划,尝试在存储单元上堆叠更多的层数,目标直指1000层。据PCWatch报道,近期铠侠公布了3DNAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

IT之家援引媒体报道,3DNAND在2014年只有24层,到2022年达到238层,8年间增长了10倍。而铠侠目标以平均每年1.33倍的速度增长,到2027年实现1000层堆叠。三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片,其中铪基薄膜铁电(HafniaFerroelectrics)将成为这项成就的...