半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕

1)干法刻蚀通常是通过等离子体或高能离子束对晶圆表面进行轰击,包括化学性的等离子刻蚀、物理性的溅射刻蚀、以及物理化学性的反应离子刻蚀。干法刻蚀能实现各向异性刻蚀,保证细小图形转移后的高保真性,因此一个完整的干法处理流程通常是器件设计者的首要选择。2)湿法刻蚀则通过化学试剂与晶圆的接触进行腐蚀,在集成电...

集成电路技术与产业发展

1.1集成电路与集成电路产业,IntegratedCircuit(IC)1.1.1集成电路的概念集成电路(IntegratedCircuit,IC)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互连,“集成”在半导体(如硅或砷化镓等化合物)晶片上,封装在一个外壳内,执行特定功能的电路或系统。1.1....

盛美上海2024年半年度董事会经营评述

背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转,腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺,在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。12、键合胶清洗设备键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除,涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴,可...

全球芯片正在破局……

科研团队通过将制备的光刻胶树脂与商用的KrF和ArF光刻胶树脂进行性能对比，结果表明，这类化学放大光刻胶表现出了优异的灵敏度、对比度、分辨率和抗刻蚀性等综合性能。同时，此类光刻胶体系在室温环境下可稳定储存60天以上，为开发高性能的深紫外和极紫外光刻胶提供了一种新思路。可水显影的二氧化碳基化学放大光刻胶...

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1、等离子体刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等...

中微半导体设备(上海)股份有限公司 2023年年度报告摘要

1、等离子体刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀(www.e993.com)2024年11月19日。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备,一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等...

《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

由于氮化镓的化学惰性和高热稳定性，没有辅助的湿法刻蚀方法是不合适的。最近已经开发了几种不同的GaN基材料干法刻蚀技术，包括反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)刻蚀和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。在这些干法蚀刻方法中，ICP蚀刻因其优越的等离子体均匀性和强可控性而具有吸引力。在这项工作中，我们重点研究了...

南通华林科纳---ZnO上 ZnCdO 的选择性湿法刻蚀

南通华林科纳---ZnO上ZnCdO的选择性湿法刻蚀1.5:1保持不变,仅使用Cd细胞温度来控制生长过程中的组成。生长后,对样品进行室温CL测量,以确定ZnCdO的近班德奇发射峰的光谱位置。通过后向散射和校准的x射线光电子光谱XPS测量结果验证了Cd的组成,确定为4.8±0.3%。我们的ZnCdO的实验带隙是在25°C下阴极发光CL的...

华林科纳---侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用

TMAH选择性蚀刻暴露的氮化镓m面侧壁,在侧壁形成三棱镜。通过改变芯片侧壁的取向,可以改变暴露的晶面,因此,可以调整由TMAH蚀刻产生的纹理化侧壁。对于我们在实验中研究的长方体形状的发光二极管芯片,具有较大m面侧壁的发光二极管芯片在TMAH蚀刻后给出了最佳的光输出功率。我们的工作揭示了湿法化学刻蚀发光二极管中侧壁...

朱刚毅:悬空车轮形氮化镓发光二极管

该工作采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了氮化镓(GaN)基车轮形发光器件。采用各向同性湿法刻蚀工艺将器件悬空,研究了悬空对器件光强、半高宽、波长漂移、3dB带宽等性能的影响。由于减小了光损耗,在悬空结构中腔效应更加明显,器件的电致发光和通信性能得到了提升。该研究对电驱动光源的制备和可见光通信具有重要意义。