光刻胶:半导体技术壁垒最高的材料之一

在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。光刻胶分类根据化学反应机理和显影原理的不同...

光谷攻克芯片光刻胶关键技术

该公司科研人员介绍,光刻胶是一种感光材料,用于芯片制造的光刻环节,工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时,会在晶圆上涂上光刻胶,在掩膜版上绘制好电路图。当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光,经过一系列处理后,晶圆上就会得到所需的电路图。由于光刻胶是芯片制造的关键材料,国外企业对其原料和配方...

把光刻机打成废铁?这回不是光刻厂,我们找到了4种方法

芯片的生产原理是这样的,首先要进行涂胶,然后进行打光、洗胶,然后进行蚀刻。具体说来,首先在硅制的晶原片的表面涂上光刻胶,然后用光刻机进行打光,就是利用光照来融化光刻胶,那么具体怎样融化呢?按照计算机储存的电脑程序来对光刻胶进行融化,有的胶融化,有的胶不融化,最终形成的图案就是一幅电路图。这幅电...

2纳米芯片必备的底层技术,国产厂商还真有储备

具体拆分光刻工艺整个过程。工程师会先在绝缘的晶圆上沉积一层层只有原子厚度的材料,它可能是绝缘体、半导体也可能是铜导电层,但一定要分布地十分均匀,说3纳米就只能是3纳米,一点不能多也一点不能少;为了能在这层薄膜材料上雕刻出想要的图案,还要涂一层光刻胶,这是一种对光敏感的聚合物,由于它们对光的反应不同...

芯片内部为什么能这么小?100多亿个晶体管是怎么装进去的?

光刻胶是光刻成像的主要承载介质,分为正胶和负胶,曝光区域更容易在显影液中溶解的为正性光刻胶,曝光区域更不易在显影液中溶解的是负性光刻胶。曝光过程的两种结果(正胶和负胶)|图源Searchmedia-WikimediaCommons假设使用的是正性光刻胶,当曝光过程结束后,显影液能够溶解暴露在光下的光刻胶。接着再用化...

半导体自主可控:半导体制造材料国产化情况梳理

光刻技术是指利用光化学原理和刻蚀方法,将图形传递到介质层上,形成功能图形的工艺技术(www.e993.com)2024年11月23日。光刻胶是一种图形转移介质,其通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用,将掩模版上的图形转移到基底上。根据应用领域不同,光刻胶为PCB、LCD、半导体光刻胶,技术门槛逐渐递增。

光刻技术的过去、现在与未来

2.光刻技术的关键原理与工作流程2.1光刻机的基本组成与功能光刻机是光刻技术中至关重要的设备,其主要组成包括光源、掩模、镜头系统、投影台和控制系统。光源通常是紫外线灯或激光器,用于产生高能光束。掩模(或称掩膜)是带有所需图案的透明介质,通过光源投射到目标表面。镜头系统负责将图案投射到光刻胶涂覆的...

集成光子封装的双光子3d打印技术,打印微透镜耦合和光子引线键合

工作原理和打印系统TPL是一种3D打印技术，它利用聚焦的激光束选择性地固化液态光敏聚合物。聚焦的激光引起光刻胶的双光子聚合（TPP），从而形成固体结构。与单光子光刻不同，当激光焦点处的激光强度超过某个阈值时，就会发生TPP。因此，TPL能够实现更可控和更本地化的聚合过程，从而实现更精细的分辨率和更高的...

MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述

光刻技术是MEMS制造中的核心工艺之一,用于在硅片或其他基底上形成微细图案。这一过程涉及将一层光敏材料(光刻胶)涂覆在基底上,然后通过遮罩板暴露于特定波长的光下。未被光照到的部分将保持不变,而被光照到的部分在后续的显影过程中会被溶解,从而形成所需的图案。

关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”集成电路领域基础...

方向3:极紫外光刻胶二次电子反应动力学研究研究目标:阐明化学放大型极紫外光刻胶二次电子诱导光酸产生过程的关键影响因素和机制,设计在分辨率20nm、线宽粗糙度2nm条件下灵敏度优于20mJ/cm2的光刻胶配方。研究内容:研究高能光子激发二次电子诱导光产酸基团(PAG)反应出酸过程中的气体副产物,测量不同PAG种类产酸...