存储芯片新突破,高端封测量产在即

新存科技（武汉）有限责任公司自主研发的国产首款最大容量新型三维存储器芯片“NM101”成功面世。该芯片采用了创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。与市场上大容量非易失性产品相比，“NM101”芯片在存储...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构,这些主控芯片能够为设备提供更高的性能,满足未来AI时代的严苛需求。

固态硬盘的使用寿命有多长?影响因素解析

固态硬盘是基于闪存技术的存储设备。与机械硬盘依赖旋转的磁盘和读写臂不同,SSD使用NAND闪存芯片来存储数据。这种结构使得SSD在读写速度、抗震性和功耗方面表现优异。NAND闪存的类型(TypesofNANDFlash)NAND闪存有多种类型,包括SLC(单层单元)、MLC(多层单元)、TLC(三层单元)和QLC(四层单元)。不同类型的闪存...

智能汽车,得一微的数据存储之道

得一微的车规存储芯片在容量、功耗、性能、温宽、寿命、数据完整、稳定可靠、分区管理等多个关键性能指标上展现出了卓越的优势。通过采用高等级的纠错算法,有效应对可能的误码问题,保证数据的完整性。公司从设计原理优化到制程管控等多维度出发,全方位提升车规产品的稳定性和可靠性。此外,得一微在芯片设计的初期阶段就...

德明利:公司闪存模组以自研主控芯片为核心,基于主控芯片开发自研...

公司闪存模组以自研主控芯片为核心,基于主控芯片开发自研纠错算法、低功耗技术等形成完整存储应用方案,自研技术相互支持,共同迭代,构成核心竞争力。

铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样:最高1TB、封装尺寸更小

新闪存芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存和主控芯片，集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0，支持每通道23.2Gbps或者每个设备46.4Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS3.1(www.e993.com)2024年11月22日。与上一代UFS4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧...

固态移动硬盘的使用寿命与维护指南

固态移动硬盘的工作原理HowSolidStateExternalHardDrivesWork固态移动硬盘与传统的机械硬盘(HDD)有着本质的不同。固态硬盘使用闪存芯片来存储数据,而机械硬盘则依赖于旋转的磁盘和读写头。固态硬盘没有机械部件,这使得它们在抗震动和抗冲击方面表现更佳。

HBM内存芯片:AI革命的无名英雄!

事实上,AI公司都在抱怨无法获得足够的存储芯片。OpenAICEOSamAltman最近访问了韩国,在那里会见了世界最大的存储芯片供应商SK海力士和三星的高管,其次是美国的美光公司。OpenAI的ChatGPT技术在刺激对运行AI应用程序的处理器和内存芯片的需求方面至关重要。

存储芯片,这一品类最赚钱

存储芯片依据功能、读取数据方式以及数据存储原理,大致可区分为易失性存储芯片(RAM)和非易失性存储芯片(ROM)。RAMRAM在断电后会丢失所存储的数据,通常用于临时存储数据,如运行中的程序和处理器的缓存。其代表性产品有DRAM和SRAM。ROMROM在没有电源的情况下也能长期保存数据,适用于存储程序代码和用户数...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

当然,只能对EPROM进行一次编程,然后需要通过将整个芯片暴露在紫外线下(以在氧化硅内引起电离,从而放电FET)来擦除值。即使它允许芯片被重写数千次。为了使EPROM可在线重写,EEPROM使用两个额外的晶体管改变了基本的仅FET结构。最初,EEPROM使用相同的HCI原理来擦除单元,但后来它们改用Fowler-Nordheim...