大族半导体测试正式参评“维科杯·OFweek2024年度激光行业最佳...
产品扼要说明:激光调阻是在计算机程序控制下通过激光束切割电阻改变电阻的阻值并同时通过高速测量系统实时测量电阻值,从而实现电阻的精密修调。大族半导体测试技术有限公司依托母公司大族集团的先进激光装备技术,基于自主知识产权的高速高精密测量系统和全功能调阻控制系统推出的激光调阻机HTS801-RH不仅能对薄膜基片进行调阻...
功率半导体测试,这个值得一看
Vth测量完成后,测量测试对象的Rds(on)电阻。为此,在漏极和源极之间产生可调电流脉冲。通过测量漏极和源极之间的电压降来确定Rds(on)电阻。完成这些测量后,继续进行动态栅极应力测试。可靠实施该过程对准确表征SiC半导体在应力下的行为并保障其可靠性至关重要。DGS测量结果与静态测量结果的比较为评估DGS测试的必要性...
面向应用的SiC功率半导体测试
Vth测量完成后,测量测试对象的Rds(on)电阻。为此,在漏极和源极之间产生可调电流脉冲。通过测量漏极和源极之间的电压降来确定Rds(on)电阻。完成这些测量后,继续进行动态栅极应力测试。可靠实施该过程对准确表征SiC半导体在应力下的行为并保障其可靠性至关重要。DGS测量结果与静态测量结果的比较为评估DGS测试的必要性...
【测试案例分享】Keithley电化学测试方法与应用
确定材料电阻率的最佳技术取决于所涉及材料的类型、电阻的大小和样品的几何形状。导体/半导体—加电流测电压导体或半导体的电阻率通常是4线配置,输入电流和测量样品的电压来确定的。4线配置最大限度地减少引线和接触电阻,以减少它们对测量精度的影响。在这种配置中(图5),两根引线用于产生电流,另一组引...
ESD防静电监控系统的工作原理
基础原理:将静电通过接地线或接地装置传导泄放到大地。要求:接地桩对地电阻<4Ω;地线最远端对地桩电阻<1Ω。2、等电位接地系统基础原理:将所有的ESD技术物品,区域内的人员和工作设备通过电气连接到一起,使他们具有相同的电位。要求:各系统之间电阻<1.0*109Ω。
今天中国半导体学术进展真不少!纳芯微并购麦歌恩分析解读;国产...
硅基互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术已于2022年进入5纳米技术节点,晶体管特征尺寸接近物理极限,寻求新材料、新原理半导体集成电路技术成为学术界和产业界的关注焦点(www.e993.com)2024年9月19日。碳纳米管(CNT)具有优异的电学性能、准一维晶格结构、高载流子迁移率等特点,是构建新型CMOS晶体管和集成电路的理想半导体沟道材料之一。与传统硅基半导体...
第三代半导体发展现状及未来展望
1993年,随着第1个具有微波特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件被公开报道,第三代半导体迅速进入微波射频的研发和应用领域,尤其是GaN射频器件,以其特有的高功率、高效率、高线性、高工作电压、抗辐照等优异特性,成为硅(Si)、砷化镓(GaAs)等器件的理想替代者,在军事装备、航空航天、第五代移动通信(5G)技...
基于类比高性能16bit ADC ADX112的热电偶检测方案
一、热电偶检测原理1.1热电效应的科学基础热电偶是一种精密的传感器,它通过连接两种不同金属材料的一端来利用热电效应测量温度。热电效应,主要包括塞贝克(Seebeck)效应、帕尔帖(Peltire)效应和汤姆逊(Thomson)效应等,是由温差引起的电效应或由电流引起的可逆热效应,也称为温差电效应。
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...
一文读懂半导体燃气传感器的结构、参数与使用注意事项
半导体燃气传感器的工作原理当燃气接触到半导体材料表面时,会发生吸附和反应过程,导致半导体材料内部的载流子数量发生变化。这种变化反映在材料的电导率、伏安特性或者表面电位的变化上。根据半导体材料与气体相互作用的程度,其电阻值会发生相应变化,通常表现为电阻降低(对于某些还原性气体)或增加(对于某些氧化性气体)。