官宣!ICDIA-ICShow2024议程公布!
由中国集成电路设计创新联盟、无锡国家高新技术产业开发区管理委员会、国家“芯火”双创基地(平台)、芯脉通会展主办的“2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展(ICDIA-ICShow)”将于2024年9月25-27日在无锡太湖国际博览中心召开。ICDIA2024以“应用创新、打造新生态”为主题,以“AI应用需求及技术发展”为...
美国制裁没用,中国芯片没崩:制造核心技术和极紫外光源双突破!
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在多种多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,主要用于高端芯片的制备上。这一技术的突破,有利于我们的高压功率芯的国产化。功能率芯片是可以处理高电流和高电压的芯片,通用于电源管理、电机驱动和照明等,广泛应用于多个领域,包括无线通信、医学、工业自动化、...
刻蚀工艺面试小结
刻蚀工艺的基本原理:刻蚀是通过物理、化学或物理化学的方法去除材料的一部分,通常是在曝光、显影之后,将掩膜图形转移到基底材料上的过程。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀通过等离子体或离子束去除材料,而湿法刻蚀使用化学溶液进行材料的选择性去除。在半导体制造中的重要性:刻蚀工艺是集成电路制造的关键步骤之...
5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除
这就是正交频分复用的原理。利用这一特性,OFDM中并不需要像传统FDM一样保留较宽的保护带,而是可以将频率成倍数关系的子载波叠加在一起,就可以完成频分复用,大大提高了频谱利用效率。FDM和OFDM的频域关系如下图所示:图:FDM与OFDM的频谱特性[6]在信号传输时,频域上多个子载波频分复用进行信号传输,时域上这些...
新洁能取得晶圆级功率半导体器件及其制作方法专利,减少工艺制造...
第一导电类型源极,第一导电类型源极和第一导电类型衬底外延层的上表面形成绝缘介质层,绝缘介质层上形成源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔,第一导电类型源极通过源极引线孔与源漏栅金属层连接,第一导电类型衬底外延层通过漏极引线孔与源漏栅金属层连接,且源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔均为同一工艺步骤...
长鑫存储取得半导体结构及其形成方法专利,提升半导体制造工艺的良...
本发明通过对半导体制造工艺流程的创新与优化,可以改善目前电容连接处的形状,增加接触面积,从而降低电容接触的阻值,以及阻止钨高温扩散导致两个相邻的电容短路,进而提升半导体制造工艺的良品率(www.e993.com)2024年9月18日。
中芯集成-U申请半导体结构及其制造方法专利,简化工艺流程并降低成本
专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构及其制造方法,制造方法通过将形成p阱的步骤移至形成第一栅极和第二栅极之后,使得形成第一栅极和第二栅极中的热过程没有对p阱造成影响,使得工艺稳定可控;与现有技术相比,本发明无需形成对位标记,省略了零刻蚀工艺步骤,省去了零刻蚀工艺所需掩膜版;还通过同时形成第一栅极...
...涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及...
请问贵公司有没有计划研发民用版手机卫星宽带芯片等相关项目?谢谢!公司回答表示,您好,公司没有该等芯片项目研发计划。公司主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售,涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。谢谢您的关注。点击进入互动平台查看更多回复信息...
至纯科技:半导体湿法设备主要聚焦在芯片制造的前道工艺,覆盖光刻...
如果有是哪种设备?用于哪种形式的先进封装?是否有订单?是否被追加订单?至纯科技(603690.SH)10月12日在投资者互动平台表示,公司的半导体湿法设备主要聚焦在芯片制造的前道工艺,覆盖光刻、刻蚀、薄膜、离子注入等关键工艺工序段。
半导体工艺中气体处理的原理奥秘与应用-「苏州韵蓝环保」
后处理阶段主要是通过加热、冷凝等方法回收和再利用废气。这一步骤既有利于环保,又可以降低生产成本。例如,在蚀刻过程中产生的废水可以通过化学处理后再次用于蚀刻过程,实现资源的循环利用。半导体工艺气体处理的原理虽然看似简单,但在实际应用中却面临着诸多挑战。如何提高气体处理的效率和精度、降低能耗和环境污染是半导...