图说光刻机的4大核心技术

ArFi(ArF浸没式光刻):ArFi是"ArgonFluorideImmersionLithography"的缩写,指的是使用ArF(氟化氩)激光源的浸没式光刻技术。ArFi光刻技术使用193纳米波长的光源,通过浸没式在光刻机镜头和硅片之间使用液体(通常是水)作为介质,来提高光的分辨率。这种技术允许在45纳米及更大工艺节点的芯片制造中实现更高的精度。ArFi...

美荷网友同时发声,对中国独立研发的光刻机技术给予强烈批评!

光刻机的技术原理类似于照片冲洗,但又比照片冲洗复杂的太多太多,等于是它把相关信息印到了硅片上,使得整个芯片具有了承载信息的功能。换言之,没有光刻机就没有芯片,想要发展先进的光刻机技术,首先就要掌握独立的光刻能力。长期以来,由于光刻机技术涉及到化学、物理学、分子学等方方面面的理论,研究起来十分繁琐,...

清华大学光刻机 国产光刻机厂家

这一技术利用先进的光学设计和激光传输理论，实现了高功率、高稳定性的激光输出，为EUV光刻机提供了更高效、更精确的工具。高能量激光器驱动技术的突破将提升EUV光刻机的曝光效果和光学系统的稳定性，从而提高芯片制造的精度和质量。

新型国产光刻机问世,“正能量”谣言满天飞,结果仍然落后18年?

ASML在2006年推出的DUV光刻机XT，其技术规格至今仍然令人印象深刻：193nm的光源波长，配合先进的镜头系统和光刻胶技术，实现了57nm的分辨率和7nm的套刻精度。这一成就，即便在今天看来，也是难以望其项背的。而中国新推出的ArFi光刻机，虽然同样采用了193nm的光源波长，但在分辨率和套刻精度上，与DUV光刻机XT存在...

国产光刻机突破,能与荷兰美国一较高下!

现在，让我们用更直观的方式来理解光刻机的不同级别和它们的工作原理：1.**EUV（极紫外光）光刻机**：这是目前最先进的光刻技术之一，使用的是极紫外光（波长约为13.5纳米）。这种光的波长非常短，允许在极小的空间内进行精细的图案化，是制造7nm及以下工艺节点芯片的关键工具。2.**DUV（深紫外线）光刻...

光刻技术,有了新选择

接近式光刻技术广泛应用于20世纪70年代,接近式光刻技术中的掩膜版与晶圆表明光刻胶并未直接接触,留有被氮气填充的间隙(www.e993.com)2024年11月1日。接近式光刻示意图接近式光刻技术的特点是最小分辨尺寸与间隙成正比,间隙越小,分辨率越高。缺点是掩膜版和晶圆之间的间距会导致光产生衍射效应,因此接近式光刻机的空间分辨率极限约为2um。随着...

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

图:EUV光刻机原理第三步:多重图案技术的必要性。尽管EUV光源能实现更小的特征尺寸,但有时单次曝光仍不足以达到需要的精度和密度。这时我们需要用到多重图案技术(Multi-Patterning)。这是一种通过多次曝光和刻蚀来实现更高分辨率的方法。图:双重曝光增加了器件密度...

中国造光刻机无望?中科大高层放狠话:中国永远都造不出来

作为科研领域的佼佼者,究竟是什么样的难度让朱士尧如此退却,难道中国的技术就要止步于此了吗?一、现状:中国或造不出光刻机?近日互联网上一个播放率极高的视频引起了广大网友的关注,这是对朱士尧专访的截取,视频中朱士尧教授身着正装,面对镜头介绍了光刻机的制造原理及工作原理,同时也是现阶段我国科技领域上研究的...

芯片“印钞机”的背后:人类物理的极限探索与大国博弈的必争之地

2、光刻机的原理光刻技术是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化,通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程,将设计在掩膜上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术。光刻机一般是通过激光或电子束直接写在光掩模板上,然后用激光辐照光掩模板,晶圆上的光敏物质因感光而发生材料性质的改变,通过显影,从而完成芯片从...

1.21亿元!北京交通大学采购大批仪器

近日,北京交通大学9项仪器设备采购意向,预算总额达1.21亿元,涉及物理国家级实验教学示范中心教学仪器设备、特色化示范性软件学院教学仪器设备、光纤分布式传感综合实验仪、数智化物理实验综合系统等,预计采购时间为2024年10月。北京交通大学2024年10月仪器设备采购意向汇总表...