揭秘计算机内部:内存与硬盘的奇妙分工

内存的工作原理基于电容或晶体管,能够在短时间内保持数据状态,为CPU提供快速的数据访问服务。它适合用于存储短期内频繁访问的数据,如正在运行的程序、临时文件等。硬盘则通过磁记录(HDD)或闪存技术(SSD)来存储数据,数据被组织成扇区、轨道和文件系统等结构,便于长期保存和检索。硬盘适合存储操作系统、应用程序、文档、...

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

而相较于2DNAND的水平堆叠,3DNAND更像摩天大楼,利用纵向维度,把闪存颗粒在立体空间内进行多层垂直堆叠。从具体设计和实现上来看,3DNAND也更多地采用电荷捕获型结构(chargetrap)而不再单纯沿用浮栅设计,或将电流路径从单晶硅通道提升为多晶硅通道等,扩大了空间。3DNAND技术已广泛应用于终端SSD,可以大幅度优化...

1000层NAND,难在哪里?

增加层叠字线(单元晶体管的栅极线)数量的“高层技术”是提高3DNAND闪存存储密度(单位面积的存储容量)的最重要技术。这是因为,如果将字线层数加倍,根据简单计算,存储密度也会加倍。最大的3DNAND闪存制造商三星电子(以下简称三星)预计,在不久的将来,堆叠字线的数量将超过1,000层,并正在进行技术开发,目标是实现1...

NAND技术:改变生活的黑科技

NAND技术，这一非易失性的存储方案，被广泛运用于诸如闪存及固态硬盘(SSD)之类的领域中。此名字源于其基本构成元素——"NAND门"，实质上就是一个逻辑门电路。相较于传统DRAM(动态随机存取存储器)，NAND有着更大的存储密度、更少的能耗以及更持久的数据保持期。包括相关概念、基本原理和定义NAND技术凭借其独特的电...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

刻蚀是一种重要的半导体制造工艺,其基本原理是通过化学或物理手段,将晶圆表面上的特定材料层部分性地去除,从而形成所需的器件结构或图案。刻蚀技术广泛应用于半导体工业中,包括集成电路制造、传感器制造、MEMS(微电子机械系统)制造等领域。3.1、刻蚀的概念和作用...

垄断智能驾驶,英飞凌最新MCU之TC4XX系列开始量产

三种技术比较,PCMRESET后的冷却过程需要高热导率,会带来更高功耗,且由于其存储原理是利用温度实现相变材料的阻值变化,所以对温度十分敏感,无法用在宽温场景(www.e993.com)2024年11月22日。为了使相变材料兼容CMOS工艺,PCM必须采取多层结构,因此存储密度过低,在容量上无法替代NANDFlash,成本偏高。不过意法半导体表示自己已经解决了这些缺点。MRAM虽然...

机械硬盘和固态硬盘区别:固态硬盘和机械硬盘哪个好?对比差异点

1.技术原理固态硬盘和机械硬盘的工作原理是完全不同的。固态硬盘:固态硬盘使用闪存芯片(NANDFlash)存储数据,数据的读写是通过电子信号来实现的。它没有机械运动部件,因此具有更快的读写速度、更低的延迟和更高的耐用性。机械硬盘:机械硬盘使用旋转磁盘和读写头来存储数据,数据的读写是通过磁性原理来实现的。

技术文章—USB闪存盘原理构造详解

USB闪存盘通常由USB连接器、存储控制器、闪存芯片、晶体振荡器、跳线、LED、开关和无载空间等功能组件构成(图1):图1:USB闪存盘通常采用的内部组件1、USB标准Type-A公连接器,用于和计算机主机连接2、USB大容量存储控制器,此为一块带有片上ROM和RAM的微控制器...

详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

闪存采用MOSFET来存放数据MOSFET结构如下图数据就存放在floaTInggate(悬浮门)之中,一个门可以存放1bit数据如图所示,门中电压有个阈值Vth如果检测到电压超过Vth,那么便认为这个bit是0数据的写入和擦除,都通过controlgate来完成。至于具体的步骤。

闪存电源原理图分析

闪速存储器在写人数据时需加12V的电源电压,附图是用单片机等向闪速存储器写入数据时对电源的输出电压进行开关控制的电路。控制信号来自单片机。当控制信号为“L”(低电平)时,电源电路的输出端向闪存输出11.8V的电源电压。当控制信号为“H”(高电平)时。