水凝胶!登顶《Science》!!|溶剂|聚合物|电化学_网易订阅

最后,水溶剂交换诱导p(g2T-T)组装成一个与多孔水凝胶(即PAAc)框架互穿的长程连通网络。这种形态可通过冷冻干燥样本的SEM(图2B,第三阶段)观察到,并通过不同长度尺度下的其他显微成像验证,包括暗场显微镜、导电原子力显微镜和STEM在湿或干燥凝胶样品上。这种形态演变过程验证了作者的假设,即非溶剂(即水)的交换驱...

芝加哥大学王思泓团队,再发Science:水凝胶半导体!

最后,水溶剂交换诱导p(g2T-T)组装成一个与多孔水凝胶(即PAAc)框架互穿的长程连通网络。这种形态可通过冷冻干燥样本的SEM(图2B,第三阶段)观察到,并通过不同长度尺度下的其他显微成像验证,包括暗场显微镜、导电原子力显微镜和STEM在湿或干燥凝胶样品上。这种形态演变过程验证了作者的假设,即非溶剂(即水)的交换驱...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

其中Ids是流过节点d和s的电流,Vds是两个节点之间的电压,Vgs是栅极偏置电压,Vth是阈值电压,λ是沟道长度调制。此外,kmos=??nch??feCoxW/L是与制造相关的参数,其中W为沟道宽度,L为沟道长度,Cox为栅氧化层电容。k和Vth都与温度相关。当器件完全导通时,Vds非常小,因此Rch可以写为:其中krs是一个常数系...

模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性

体效应对模拟设计有很大影响——堆叠晶体管是非常流行的,这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。信道长度调制理论上,饱和状态的晶体管应作为具有无限输出电阻的理想电流源。实际上,当沟道收缩时,VDS仍对漏极电流有影响,因此晶体管的输出电阻虽然很大,但仍然是有限的。这是由于一种称为沟道长度调制的...

Nat. Commun.:梯度表面能调制实现晶圆级超平坦石墨烯

将二维(2D)材料集成到当前的硅技术中,可以将高迁移率、无悬键界面、原子尺度沟道尺寸嵌入实际的电子和光电器件中。注意,一个必要的前提是将2D材料从其生长衬底转移到工业晶圆上。然而,在2D材料的晶圆级单晶生长方面,转移方法还存在着很大的差距,这阻碍了近年来在2D材料晶圆级单晶生长方面的进展。通常,湿法转移使用PM...

为什么In2O3可以制造0.7 nm原子层薄的晶体管?

阈值电压和沟道载流子密度可以通过沟道厚度进行显著调控(www.e993.com)2024年11月20日。这种现象可以利用陷阱中性能级（TNL）模型来理解，其中费米能级趋于在In2O3的导带内部深处排列，并由于量子限制效应而可被调制为原子层薄In2O3的带隙，通过密度函数理论（DFT）计算证实了这一点。增强型非晶In2O3晶体管的演示表明In2O3是BEOL兼容晶体管和单...

极端制造 | 原子层半导体和传统半导体比较一致性分析及异构集成的...

Liu等人发现,吸收的钾原子可以稳定1T′相,如图1(f)所示。使用碱金属处理工艺可以引发图案化的2H-1T'相变。图1(g)说明了使用图案化n-BuLi处理来制造具有2H沟道和1T接触的晶体管,从而实现良好的欧姆接触行为。使用类似的技术,可以制造具有亚10nm2H和1T'沟道长度的MoS2晶体管,如图1(h)和(i)所示。

中国学者一作,最新Nature:晶体管的未来!

如图2a中的透射电子显微镜图像所示,典型MOSFET的功能类似于通用抽头的功能。n型FET的能带图如图2b所示。通过栅极电压(Vg)有效调制沟道电位(φch)本质上是一个静电问题,可以通过分析从所有端子到移动资费质心所在的信道。计算依据的公式如图2c-e所示。图2.FET物理和操作的基础知识...

《Chip》首次发布中国芯片科学十大进展,含AI训练芯片

1.清华大学任天令教授团队:亚1纳米栅极长度晶体管的首次实现清华大学任天令教授团队利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极,通过石墨烯侧向电场控制垂直的二硫化钼沟道的开关,使等效的物理栅长度降为0.34纳米,然后通过在石墨烯表面沉积金属铝并使其自然氧化,完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。此后,...

SiC IGBT研究进展与前瞻

在SiCIGBT器件研究历程的前期,研究多是集中在P沟道的SiCIGBT,原因是相比于N型的衬底,P型衬底的电阻率更低且缺陷更多。随着研究的不断深入,SiCIGBT的性能也逐步提升,导通电阻更是呈现不断进步的趋势,2007年,ZHANG等人引入电荷存储层(CSL),在消除JFET效应的同时增强电导调制效应,使制作出的...