AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据,核心原理是利用材料的磁阻效应,即材料的电阻会随着外部磁场的变化而变化,从而通过改变电流方向和大小,可以改变其中一个磁性层的磁化方向,由此实现数据的写入和读取。其实这也不是什么新兴技术。早在上世纪五十年代就已经被提出,并在军用方面得到广泛应...

国芯思辰|兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器SF25C20可用于医疗器械

SF25C20的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,EEPROM则是利用电荷来保存数据。由于保存数据的原理不同,FRAM比EEPROM更加适合应用于医疗医药行业。比如伽马线和电子线灭菌易使EEPROM保存的数据丢失,而使用了FRAM标签的医疗设备、包装材料可以直接进行灭菌,标签内的数据并不会消失。它的工作电压范...

高速高容量铁电存储器有望诞生

理论上而言,铁电存储器可以在千兆赫兹以上的快速电路中与CPU中枢直接对话,最终可以形成一种通用存储器,从而替代目前市场上各种类别的存储器,具有极广泛的商业价值.此项研究成果已在材料类国际顶级刊物Advance.Material.上发表,并申请了基于该原形器件工作原理的两项国内发明专利和一项国际专利,为...

新书上架《半导体存储器件与电路》

几种受关注的候选者包括相变存储器(PCM)及用于相关3DX-point技术的选通器;阻变随机存取存储器(RRAM);磁性随机存取存储器(MRAM),包括自旋转移力矩(STT)和自旋轨道力矩(SOT)两种切换机制的MRAM;铁电存储器,如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)。此外,这些新型非易失性存储器的多比特存储、离散...

铁电器件,大有可为|晶体|栅极|电介质|电容器_网易订阅

相比之下,铁电存储器(如FeFET和铁电隧道结(FTJ))依赖于铁电极化。例如,FeFET使用与传统电介质串联的铁电体作为栅极电容器。铁电极化充当永久栅极偏置,根据极化状态,可为正或负。该偏置会提高或降低阈值电压。存储器窗口(Vtlo和Vthi值之间的差值)随着铁电体的极化密度而增加。

【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路

唐克超老师团队专注于铁电材料及其存储器件的研究,特别关注氧化铪基铁电材料,因其在集成电路中的高密度集成潜力而受到重视(www.e993.com)2024年11月17日。他指出耐久性是铁电存储器应用中一个核心的挑战,团队的目标是优化铁电存储器的性能,研究涉及铁电耐久性原理研究、耐久性优化和存储密度以及阵列的制备等方面。

新兴存储,冰火两重天

FeRAM,全称为FerroelectricRAM(铁电随机存取存储器),又称铁电存储器。FeRAM采用铁电晶体材料作为存储介质,利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。FeRAM结构图FeRAM产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。

物理学院赵宏健教授等人在铪基铁电超晶格材料设计方面取得进展

氧化铪铁电材料与硅基微电子工艺高度兼容,是研发新一代高集成度、低功耗铁电存储器的重要材料体系。然而,氧化铪的铁电性源于正交亚稳相,该相合成条件严苛。相比之下,氧化铪的稳定物相为单斜相,但单斜物相无铁电性。研究团队提出了构筑(HfO2)1/(CeO2)1超晶格,在单斜氧化铪中引入铁电性的学术思想。对称性分析...

HfO2 之铁电奋斗历程 | Ising专栏

这种现象,直到1990年代提出“非易失铁电存储器”和“高介电栅极材料(high-k)”两个主题后,才有所改变,才开始铁电体与现代半导体微电子学集成融合的历程。这是其一。其二,到2000年前后,铁电极化的量子理论起源(贝里相位)和多铁性物理研究开始兴起,才有那些小带隙半导体和安德森很早就提出、但一直无人...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

针对上述问题,中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学相关团队从铁电疲劳产生的微观原理入手,利用二维滑移铁电结构的独特性,创制了一种无疲劳铁电材料。这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制,大大增加耐久性,从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设...