上海邦芯半导体取得一种CCP和ICP结合的反应腔结构装置专利

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种CCP和ICP结合的反应腔结构装置”的专利,授权公告号CN118471781B,申请日期为2024年7月。本文源自:金融界作者:情报员

zycgr21071302等离子体刻蚀机(8寸 ICP+CCP)公开招标公告

项目概况等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)招标项目的潜在投标人应在上海市共和新路1301号D座2楼,上海中招招标有限公司。获取招标文件,并于2024年07月29日09点30分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:STC24A290项目名称:等离子体刻蚀机(8寸ICP+CCP)预算金额:1600.000000万元(人民币)采...

中微公司:公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可,CCP刻蚀...

公司回答表示,您好,公司2024年一季度营业收入为16.05亿元,同比增长31.23%。公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可,CCP刻蚀设备和ICP刻蚀设备在国内主要客户芯片生产线上市占率持续提升。2024年第一季度刻蚀设备实现收入13.35亿元,较上年同期增长约64.05%。公司的MOCVD设备已经在国内蓝绿光LED生产线上占据领先的市...

北方华创:ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可满足多种技术代的存储...

公司回答表示:公司的ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可以满足多种技术代的存储芯片制造。本文源自金融界AI电报

北方华创:公司的ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可以满足多种技术...

同花顺(300033)金融研究中心02月28日讯,有投资者向北方华创(002371)提问,您好,请问公司的刻蚀设备、TSV设备目前及未来是否可以应用于DRAM、HBM等存储芯片制造中吗?公司回答表示,您好,公司的ICP刻蚀、CCP刻蚀、TSV刻蚀设备可以满足多种技术代的存储芯片制造。感谢关注!点击进入互动平台查看更多回复信息...

2024-28年电感耦合等离子体刻蚀机ICP市场行情及发展前景研究报告

根据新思界产业研中心发布的《2024-2028年中国电感耦合等离子体刻蚀机(ICP刻蚀机)市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示,ICP刻蚀机可替代或部分替代电容性等离子体(CCP)蚀刻机、反应离子(RIE)刻蚀机等,目前其已成为等离子体刻蚀设备中应用最广泛的刻蚀设备,市场占比达50%以上(www.e993.com)2024年11月19日。2023年,全球ICP刻蚀机市场销售规模约78...

华金证券:制程微缩叠加3D趋势 刻蚀设备市场空间持续拓宽

1)3DNAND/DRAM：高深宽比结构制造常采用CCP刻蚀设备。2)逻辑：GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀;通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为我国突破光刻极限关键手段。3)互连：HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV;深孔刻蚀是TSV的关键工艺，其中Bosch刻蚀是首选技术，通常选择ICP刻蚀设备。建议...

半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范

刻蚀设备:干法刻蚀为主,ICP、CCP平分秋色刻蚀可分为湿刻和干刻,湿刻各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,干刻是目前主流的刻蚀技术,其中,等离子体干刻应用最广。根据等离子体产生方法不同,等离子体刻蚀又划分为ICP(电感性等离子体刻蚀)和CCP(电容性等离子体刻蚀)两大类...

中微公司2024年半年度董事会经营评述

公司致力于提供超高深宽比掩膜(≥40:1)和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案,相应的开发了配备超低频偏压射频的ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀,并且开发了配备超低频高功率偏压射频的CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已验证成功,进入量产。

制程微缩叠加3D趋势,刻蚀设备市场空间持续拓宽——半导体设备系列...

1)3DNAND/DRAM:高深宽比结构制造常采用CCP刻蚀设备。2)逻辑:GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀;通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为我国突破光刻极限关键手段。3)互连:HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV;深孔刻蚀是TSV的关键工艺,其中Bosch刻蚀是首选技术,通常选择ICP刻蚀设备。