...性试验方法及其试验电路专利,解决现有MOSFET器件稳态直流功率...

所述试验方法包括:(1)按多路推挽式MOS管单元并联进行设计,以实现批量推挽式MOS管可靠性试验;(2)采用提高MOS管漏源VDS压降的方法,让MOS管工作在不完全导通状态下进行老炼;(3)输入方波信号按设定的功率放大,以驱动每个单元推挽式MOS管;(4)方波信号经恒流通道恒流。试验电路包括信号模块、驱动模块、器件模块、模拟负载...

华羿微电子取得高性能 MOSFET 功率器件相关专利

金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,华羿微电子股份有限公司取得一项名为“一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用”的专利,授权公告号CN118412381B,申请日期为2024年7月。本文源自:金融界作者:情报员...

Boost升压电路原理讲解

在小功率的DC/DC变化中,PowerMOSFET是最常用的功率开关。MOSFET的成本比较低,工作频率比较高。设计中选取MOSFET主要考虑到它的导通损耗和开关损耗。要求MOSFET要有足够低的导通电阻RDS(ON)和比较低的栅极电荷Qg。

金刚石:新能源汽车IGBT功率模块散热的新利器

寿命缩短:长期在高温环境下工作,会加速IGBT功率模块内部材料的老化和损坏,如半导体芯片的热疲劳、封装材料的热膨胀等。这些都会导致IGBT的可靠性降低,寿命缩短。因此,为了保证IGBT功率模块的正常工作和长期可靠性,必须采取有效的散热措施。金刚石的独特性能金刚石作为一种超硬材料,具有许多独特的性能,使其在IGBT功率...

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高...

如果车辆要求牵引逆变器提供超过80kW的输出功率,SiCMOSFET将被关闭,取而代之的是SiIGBT运行。示例中逆变器中的碳化硅部分对最大输出功率没有贡献,这显然是该方案的主要缺点。要实现独立运行"排他性操作",则需要两个栅极信号("Ex2G")来独立控制两种半导体器件。

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;低开关损耗:使开关导致的损耗降低,发热减少;低热阻:正常工作时发热量小;低di/dt和dv/dt:开关状态下产生震荡以及杂波小,产生较小的电磁干扰(www.e993.com)2024年11月10日。贝岭型号推荐:3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下:...

电动汽车DC/AC解析

1.工作原理逆变器的工作原理是利用电子开关器件(如IGBT、MOSFET)来控制直流电的开断,从而产生特定波形的交流电。具体来说,逆变器的工作过程可以分为以下几个步骤:采样:首先,逆变器会对电池提供的直流电压进行采样。控制:根据采样的直流电压和电机所需的转速、扭矩等参数,逆变器的控制器会生成相应的脉冲信号。

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区来回切换。由上面小功率MOSFET工作原理可知,在uDS>uGS-UGS(th)时,对应的每一个uGS就有一个确定的iD。此时,可以将iD视为电压uGS控制的电流源。所以电力MOSFET又称为电压控制电流器件,输入阻抗极高,输入电流非常小。

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

除最轻负载以外,各种情况下同步整流器MOSFET的漏-源电压在打开和关闭过程中都会被续流二极管钳位。因此,同步整流器几乎没有开关损耗,它的功率消耗很容易计算。只需要考虑阻性损耗即可。最坏情况下的损耗发生在同步整流器工作在最大占空比时,也就是当输入电压达到最大时。利用同步整流器的RDS(ON)HOT和工作占空比,通...

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定义AI服务器电源的功率密度...

高度稳健的CoolSiC??技术与.XT互连技术相结合,使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态,并且凭借连接技术和低正RDS(on)温度系数,即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。供货情况CoolSiC??MOSFET400V产品组合的工程样品现已发布,并将于2024年10月开始量产。