中国半导体排名第一企业!
1、北方华创,刻蚀领第一!作为国内半导体设备行业的领军企业,北方华创拥有超过60年的研发经验,其刻蚀设备技术先进,尤其在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机方面,原研迭代多年,国内领先,已实现规模化应用,助力多家主流客户技术通线。此外,北方华创还不断突破技术壁垒,其12英寸ICP刻蚀机在28nm制程关键设备验证中取得显著进展,...
科学家成功改进等离子体深硅刻蚀技术,将晶圆微纳技术提至10nm级别...
近日,西北农林科技大学本硕校友、德国布伦瑞克工业大学博士毕业生徐久帅和所在团队,揭示了低温深硅刻蚀纳米结构的动态平衡机理。通过分析和比较不同的微纳制造技术,针对低温深硅刻蚀的物理化学机理和动态平衡反应原理加以深入研究,他们将晶圆级的高深宽复杂微纳加工技术提升到10纳米级别,进而提高了微纳制造的应用能...
高精度MEMS陀螺仪专题分析:原理、工艺与产业链
MEMS陀螺仪通过科里奥利力来测量角速度,ADI官网介绍了MEMS陀螺仪的工作原理:设在以角速度沿逆时针方向转动的水平圆盘上,有AB两点,O为圆盘中心,且有OA>OB,在A点以相对于圆盘的速度V沿半径方向向B点抛出一球。如果圆盘是静止的,则经过一段时间??t=(OA-OB)/V后,球会到达B,...
SK海力士:刻蚀工艺科普
这种方法的原理很简单,但在实际工艺中,仅凭这一原理很难达成目的。低气压意味着参加反应的气体量少,刻蚀速率当然就会慢下来。而且,采用物理方法时,会移除较大面积的本不该去除的材料。物理方法采用强行用力刻出材料的方法,发生冲撞时不会区分“应该”还是“不应该”去除的材料。(在后续介绍沉积工艺的沉积气体时也会...
这8项关键传感器技术,每一项都将深刻影响未来产业发展
而在于光纤角速率陀螺、激光角速率陀螺等传感器技术,主要利用另一种原理:萨格纳(Sagnac)原理,也称萨氏效应(相位差正比于输入角速率)。这些新原理、新效应对促进传感技术发展,以及开拓更多传感器应用领域起到关键作用。同时,交叉学科新技术,也对传感技术发展起到重要作用。譬如集成电路技术对传感器的发展,在MEMS传感器中...
英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著!《碳化硅器件工艺核心...
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势(www.e993.com)2024年7月29日。
综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
该阶段主要聚焦于突破高性能焦平面器件制备的关键技术。采用先进的异质结构抑制超晶格长波探测器的暗电流;研究超晶格材料的刻蚀和侧壁钝化技术,制备出超晶格面阵器件。长波探测是超晶格技术发展的一个重要方向,而降低暗电流是长波红外探测器研究工作的一个重要内容。对于锑化物超晶格探测器,利用其灵活的能带结构调节能...
光刻技术的过去、现在与未来
2.光刻技术的关键原理与工作流程2.1光刻机的基本组成与功能光刻机是光刻技术中至关重要的设备,其主要组成包括光源、掩模、镜头系统、投影台和控制系统。光源通常是紫外线灯或激光器,用于产生高能光束。掩模(或称掩膜)是带有所需图案的透明介质,通过光源投射到目标表面。镜头系统负责将图案投射到光刻胶涂覆的...
清华孙洪波团队&吉大陈岐岱团队:超快激光超隐形切割
针对这一困难,研究团队提出了一种创新思路:利用瞬态的、非线性的激光-材料相互作用,以克服上述物理原理对纳米级激光高深宽比加工的限制。具体来说,他们利用激光诱导的初始损伤区域作为一个“种子结构”,来引发所谓的“背散射干涉攀爬”效应,引导高深宽比纳米结构的形成和演化(图2)。
汽车车灯行业专题报告:车灯升级的三个维度,光源、技术与功能
与传统LED相比,它采用刻蚀、光刻和蒸镀等微纳工艺,在基板上制作小尺寸大密度的发光单元阵列。MicroLED在车灯领域也叫μAFS,是可寻址像素矩阵式LED(AddressableLEDPixelArray)的简称,是一种专门针对多像素智能大灯系统开发的LED技术。MicroLED原理上是从LED芯片的层面去实现像素级控光。