5nm已量产,3nm还会远吗?重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司

CCP刻蚀设备:主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料,为65纳米到5纳米及更先进工艺的芯片制造提供创新的解决方案。ICP刻蚀设备:主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料,为1X纳米及更先进工艺的逻辑和存储器件刻蚀应用提供创新的解决方案。图|中微刻蚀设备来源:公司公告在逻辑芯片...

2024半导体设备系列报告之刻蚀设备:制程微缩叠加3D趋势,刻蚀设备...

-刻蚀工艺:包括台阶刻蚀、狭缝刻蚀、沟道孔洞刻蚀和接触孔刻蚀等,这些工艺要求设备具有高深宽比刻蚀能力。-设备需求变化:随着堆叠层数的增加,刻蚀设备数量占比不断攀升,对设备的性能和稳定性要求也越来越高。-DRAM领域-制程迭代与刻蚀挑战:DRAM制程持续迭代,20nm以下制程对刻蚀工艺和设备提出了更高的要求,...

【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。2.印度指控小米、vivo等手机厂商勾结电商平台,面临反垄断调查外媒...

半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽

干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，占比超90%，其中以等离子体干法刻蚀为主导。等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。其由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成，其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面的材料...

北方华创:刻蚀设备可覆盖多种技术代的数十种工艺应用

北方华创：刻蚀设备可覆盖多种技术代的数十种工艺应用金融界9月23日消息，有投资者在互动平台向北方华创提问：近期，美国商务部加码半导体制裁，主要涉及对刻蚀设备（各向同性、各向异性干法刻蚀）加码了管制，请问贵公司的刻蚀设备在此项有无布局或国产替代。公司回答表示：公司的刻蚀设备可覆盖多种技术代的数十种工艺...

半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范

传统等离子刻蚀设备会面临刻蚀损伤、负载效应以及控制精度等一系列挑战,而原子层刻蚀(ALE)可实现单原子层级的精准刻蚀,是有效的解决方案(www.e993.com)2024年11月25日。ALE可视为ALD的镜像过程,其原理为:1)将结合气体导入刻蚀腔,吸附于材料的表面,形成一个结合层,此为改性步骤,具有自停止性;2)清除腔体中过量的结合气体,引入刻蚀气体轰击刻蚀表...

81页PPT丨半导体刻蚀设备产业链全景

干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,可分为电容性等离子休刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构,其需求主要来自3DNAND等3D结构发展的推动ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽,因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。

【华言金语0925】刻蚀设备行业深度&9.24货币政策“大礼包”点评&...

受益制程微缩&3D趋势,刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展,刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示,全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元,占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高,全球刻蚀设备市场集中度高;华经产业研究院数据显示,2021年全球刻...

智研咨询—中国刻蚀设备行业市场运行态势分析报告(2024版)

湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性,目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。湿法刻蚀可分为化学刻蚀和电解刻蚀。根据作用原理,干法刻蚀可分为物理刻蚀(离子铣刻蚀)和化学刻蚀(等离子刻蚀)。根据被刻蚀的材料类型,干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀。ICP与CCP是应用最为广泛的刻蚀设备。

刻蚀设备行业发展趋势:政府推动技术发展,国产刻进口替代空间广阔

湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性,目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。湿法刻蚀可分为化学刻蚀和电解刻蚀。根据作用原理,干法刻蚀可分为物理刻蚀(离子铣刻蚀)和化学刻蚀(等离子刻蚀)。根据被刻蚀的材料类型,干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀。ICP与CCP是应用最为广泛的刻蚀设备。