光子芯片取得重要突破,中国或将绕开EUV光刻机瓶颈

避免了对EUV光刻机的依赖，能够更灵活地应对国际市场的变化。通过自主研发光子芯片，中国有望在不久的将来实现“弯道超车”，摆脱被动跟随的局面。这一进展不仅能够降低对外技术的依赖，还将增强中国在全球芯片市场的竞争力。

光子芯片迈出重要的一步,中国芯片绕开EUV光刻机将成真

中国在光子芯片产业化方面的推进，将有助于中国芯片行业实现弯道超车，因为如今都清楚研发EUV光刻机的技术难度实在太大，ASML的EUV光刻机就需要全球数十个国家的5000家企业合作，如果沿着这样的路线前进，中国芯片就只能一直跟随，而在光子芯片等先进芯片技术方面发展，现有的海外先进芯片产业链就可能不再是中国芯片的桎...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

往芯片的原材料,也就是晶圆片上,均匀地涂上一层光刻胶。第二步,打光。让特定的光束,透过画了电路图的掩膜版。有线条遮着的地方,光透不过去,光刻胶还是本来的脾气。没线条遮着的地方,光透过去了,和光刻胶一照面,光刻胶就变成了另一种脾气。第三步,洗胶。把两种脾气的光刻胶所覆盖的晶圆片,放进...

新型国产光刻机问世,“正能量”谣言满天飞,结果仍然落后18年

光刻机,作为芯片制造的核心设备,其工作原理就像是在一个非常小的画板上以极其精细的方式画画。在这个过程中,光源的波长、镜头的数值孔径以及光刻胶的性能等因素共同决定了光刻机的分辨率。而分辨率的高低,则直接决定了在同尺寸的硅晶圆上能够雕刻出多少晶体管和电路图案。从纸面数据来看,Krf光刻机和ArFi光刻机...

东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...

(2)光刻机工作原理类似胶片照相机,均是通过光线穿透将电路图形在晶圆表面成像,但光刻机的精密度远远高于照相机。光刻机将光源射出的高能镭射光穿过掩膜版,缩图透镜将掩膜版的电路图缩小很多倍后,将图形集成在即将曝光的晶圆片上。我们可以将光刻机类比照相机,被拍摄的物体等同于光刻过程中的衬底,聚光镜就是单反镜...

信号很强烈!国产光刻机上线,或彻底打破美国的芯片封锁墙!

当国产光刻机正式上线之前，就工信部就曾发布了一份推广文件的起草，那在文件出台之前，光刻机的评审、验收工作估计在8月份就已经完成了(www.e993.com)2024年11月6日。也就是说，我们在荷兰暂停售后服务、出台限制令之前就已经有计划上线国产光刻机的验收和推广决定。这背后并不是说我们有意反制荷兰或者美国，而是告诉美西方，在芯片半导体领域，...

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

第二步:引入EUV技术。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于缩小芯片尺寸并提高密度。然而,即便是EUV,也面临着分辨率和准确性的问题,尤其是当我们试图在3纳米制程中实现更小的特征尺寸时。图:EUV光刻机原理

2024,中国芯片还需更多DUV光刻机

相比之下,目前国产光刻机能达到的理想水平在28nm左右,其国产化率和良率在短期内也无法得到保证,暂时还不足以完成对前者的完美替代。//注:NXT:2000以上系列的浸润式DUV光刻机在海外EUV不受限的晶圆厂,一般会用到7nm以下来配合EUV生产先进工艺芯片,中国大陆的foundry也主要用来做10nm以下工艺,14nm以上成熟工艺主要...

EUV光刻机突破中的科技与产业创新是如何融合的?

EUV光刻机创新历程,是从松散式的科学原理探索研究,逐步形成面向未来产业愿景和产学研用多方协同攻关创新态势,不断打通产业链、创新链上的“断点”“堵点”,成功实现集科学新发现、技术新轨道和产业新方向于一体的“大纵深”整体突破。EUV光刻技术路线验证与商业成功的历史进程,是面向产业发展需求重大科技问题的共同凝练...

??光刻机之战

光刻机的工作原理,或者说现代芯片制作的基本原理本身并不难懂,这个过程大致包括:(1)画出线路图;(2)把线路图刻到玻璃板上,制成掩膜(也叫光罩);(3)把掩膜上的线路图用强光投射到涂了光刻胶的硅片(晶圆)上,光刻胶被强光照射的部分变得可以溶解,这样就在硅片上曝光出了线路图;(4)对硅片上的线路图多次使用刻...